IRFZ24详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 60V 17A TO-220AB
- 系列：HEXFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：17A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫欧 @ 10A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：640pF @ 25V
- 功率_最大：60W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-220-3
- 供应商设备封装：TO-220AB
- 包装：管件
IRFZ24L详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 60V 17A TO-262
- 系列：HEXFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：17A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫欧 @ 10A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：640pF @ 25V
- 功率_最大：3.7W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
- 供应商设备封装：TO-262-3
- 包装：管件
IRFZ24N,127详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 55V 17A TO220AB
- 系列：TrenchMOS™
- 制造商：NXP Semiconductors
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：17A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：70 毫欧 @ 10A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：500pF @ 25V
- 功率_最大：45W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-220-3
- 供应商设备封装：TO-220AB
- 包装：管件
IRFZ24NL详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 55V 17A TO-262
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：17A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：70 毫欧 @ 10A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：370pF @ 25V
- 功率_最大：3.8W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
- 供应商设备封装：TO-262
- 包装：管件
IRFZ24NLPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 55V 17A TO-262
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：17A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：70 毫欧 @ 10A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：370pF @ 25V
- 功率_最大：3.8W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
- 供应商设备封装：TO-262
- 包装：管件
IRFZ24NPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 55V 17A TO-220AB
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：17A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：70 毫欧 @ 10A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：370pF @ 25V
- 功率_最大：45W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-220-3
- 供应商设备封装：TO-220AB
- 包装：管件
- FET - 单 International Rectifier TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA MOSFET N-CH 55V 17A TO-262
- 接口 - 驱动器，接收器，收发器 Intersil 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） TXRX ESD 3.3V RS485/422 8-SOIC
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-247-3 MOSFET N-CH 500V 31A TO-247AC
- 光学 - 反射式 - 逻辑输出 Omron Electronics Inc-IA Div 模块，预接线 SENSOR OPTO REFL 4M PREWIRED MOD
- FET - 单 International Rectifier TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA MOSFET N-CH 40V 75A TO-262
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
- 固定式 TT Electronics/BI 径向 RADIAL LEAD INDUCTORS
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div L-BRACKET FOR E3C-1 SENSING HEAD
- 接口 - 驱动器，接收器，收发器 Intersil 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） TXRX ESD 3.3V RS-485/422 8-MSOP
- 光学 - 反射式 - 逻辑输出 Omron Electronics Inc-IA Div 模块，连接器 SENSOR OPTO REFL 4M CONN MOD
- FET - 单 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK
- 固定式 TT Electronics/BI 径向 RADIAL LEAD INDUCTORS
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div L-BRACKET FOR E3C-1 SENSING HEAD
- 接口 - 驱动器，接收器，收发器 Intersil 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） TXRX ESD 3.3V RS-485/422 8-MSOP
0755-83202411 
13410941925 
0755-82561519 
13510131896 
0755-83663430 
0755-88917652 
0755-82561519 
0755-83286481 
0755-18503085 
0755-23919407 
755-83241160（ 
0755-82524712 
0755-88291559 
0755-82569753 
0755-83268779 
0755-22655674 
