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IRFZ14详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 60V 10A TO-220AB; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：10A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫欧 @ 6A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：300pF @ 25V; 功率_最大：43W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-220-3; 供应商设备封装：TO-220AB; 包装：管件

IRFZ14L详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 60V 10A TO-262; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：10A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫欧 @ 6A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：300pF @ 25V; 功率_最大：3.7W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA; 供应商设备封装：TO-262-3; 包装：管件

IRFZ14PBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 60V 10A TO-220AB; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：10A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫欧 @ 6A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：300pF @ 25V; 功率_最大：43W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-220-3; 供应商设备封装：TO-220AB; 包装：管件

IRFZ14S详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：10A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫欧 @ 6A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：300pF @ 25V; 功率_最大：3.7W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：管件

IRFZ14SPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：10A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫欧 @ 6A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：300pF @ 25V; 功率_最大：3.7W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：管件

IRFZ14STRL详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：10A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫欧 @ 6A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：300pF @ 25V; 功率_最大：3.7W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：带卷 (TR)

FK24X7R2E332K
陶瓷 TDK Corporation 径向 CAP CER 3300PF 250V 10% RADIAL
GRM0335C1E4R8CD01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0201（0603 公制） CAP CER 4.8PF 25V NP0 0201
IS15SBCP4EF
可编程显示器 NKK Switches TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SMARTSWITCH COMPACT YEL/GRN LED
ISL8105BIRZ-T
PMIC - 稳压器 - DC DC 切换控制器 Intersil 10-VFDFN 裸露焊盘 IC REG CTRLR BUCK PWM VM 10-DFN
IRFU9310
FET - 单 Vishay Siliconix TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA MOSFET P-CH 400V 1.8A I-PAK
FK24X7S2A154K
陶瓷 TDK Corporation 径向 CAP CER 0.15UF 100V 10% RADIAL
H7MMH-1506G
D-Sub Assmann WSW Components CABLE D-SUB-HMP15H/AE15G/HMP15H
H4X4BL72
布线管，配线管道 Panduit Corp DUCT WIRE SLOT PVC BLACK 24"
IS15SBFP4B
可编程显示器 NKK Switches TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SMARTSWITCH COMPACT WHITE LED
ISL8105CRZ-T
PMIC - 稳压器 - DC DC 切换控制器 Intersil 10-VFDFN 裸露焊盘 IC REG CTRLR BUCK PWM VM 10-DFN
GRM0335C1E560JD01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0201（0603 公制） CAP CER 56PF 25V 5% NP0 0201
FK24Y5V0J226Z
陶瓷 TDK Corporation 径向 CAP CER 22UF 6.3V RADIAL
H7MMH-3706M
D-Sub Assmann WSW Components CABLE D-SUB-HMP37H/AE37M/HMP37H
H4X4BL72
布线管，配线管道 Panduit Corp DUCT WIRE SLOT PVC BLACK 36"
IS18WWC1W-K
评估演示板和套件 NKK Switches TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 DESIGN KIT FOR OLED ROCKER

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