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IRFU4104-701PBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 40V 42A IPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：40V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：42A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5.5 毫欧 @ 42A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：89nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2950pF @ 25V; 功率_最大：140W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB; 供应商设备封装：I-Pak; 包装：管件

IRFU4104PBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 40V 42A I-PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：40V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：42A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5.5 毫欧 @ 42A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：89nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2950pF @ 25V; 功率_最大：140W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB; 供应商设备封装：I-Pak; 包装：管件

IRFU4105详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 55V 27A I-PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：55V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：27A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：45 毫欧 @ 16A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：34nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：700pF @ 25V; 功率_最大：68W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB; 供应商设备封装：I-Pak; 包装：管件

IRFU4105PBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 55V 27A I-PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：55V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：27A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：45 毫欧 @ 16A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：34nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：700pF @ 25V; 功率_最大：68W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB; 供应商设备封装：I-Pak; 包装：管件

IRFU4105Z详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 55V 30A I-PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：55V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：30A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：24.5 毫欧 @ 18A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：740pF @ 25V; 功率_最大：48W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB; 供应商设备封装：I-Pak; 包装：管件

IRFU4105ZPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 55V 30A I-PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：55V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：30A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：24.5 毫欧 @ 18A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：740pF @ 25V; 功率_最大：48W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB; 供应商设备封装：I-Pak; 包装：管件

ISC1812ERR82M
固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 820NH 20% 1812
H48-6C-150-150-0.5-1A
热 - 垫，片 t-Global Technology H48-6C SHEET 150X150X0.5MM W/ADH
IPW50R280CE
FET - 单 Infineon Technologies TO-247-3 MOSFET N-CH 500V 13A PG-TO247
IRFU3710ZPBF
FET - 单 International Rectifier TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB MOSFET N-CH 100V 42A I-PAK
GTS447H101HR
拨动开关 CW Industries 径向 SWITCH TOGGLE SPDT 12A 250V
ISC1812ES101J
固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 100UH 5% 1812
IRFU3910
FET - 单 International Rectifier TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB MOSFET N-CH 100V 16A I-PAK
FDS6630A
FET - 单 Fairchild Semiconductor 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SOIC
IPW50R299CP
FET - 单 Infineon Technologies TO-247-3 MOSFET N-CH 550V 12A TO247-3
ISC1812ES120K
固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 12UH 10% 1812
GTS447N301HR
拨动开关 CW Industries 径向 SW TOGGLE SPST-NO 16A 250V
IRFU420
FET - 单 Vishay Siliconix TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA MOSFET N-CH 500V 2.4A I-PAK
FDS6670A
FET - 单 Fairchild Semiconductor 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
H48-6C-320-320-1.0-1A
热 - 垫，片 t-Global Technology H48-6C SHEET 320X320X1MM W/ADH
IPW60R125CP
FET - 单 Infineon Technologies TO-247-3 MOSFET N-CH 650V 25A TO-247

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