IRFU220_R4941详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 200V 4.6A I-PAK
- 系列：-
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.6A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：800 毫欧 @ 2.4A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：330pF @ 25V
- 功率_最大：50W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
- 供应商设备封装：I-Pak
- 包装：管件
IRFU220BTU_AM002详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 200V 4.6A IPAK
- 系列：-
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.6A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：800 毫欧 @ 2.3A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：16nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：390pF @ 25V
- 功率_最大：2.5W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
- 供应商设备封装：I-Pak
- 包装：管件
IRFU220BTU_F080详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 200V 4.6A IPAK
- 系列：-
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.6A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：800 毫欧 @ 2.3A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：16nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：390pF @ 25V
- 功率_最大：2.5W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
- 供应商设备封装：I-Pak
- 包装：管件
IRFU220BTU_FP001详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 200V 4.6A IPAK
- 系列：-
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.6A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：800 毫欧 @ 2.3A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：16nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：390pF @ 25V
- 功率_最大：2.5W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
- 供应商设备封装：I-Pak
- 包装：管件
IRFU220N详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 200V 5A I-PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：5A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：600 毫欧 @ 2.9A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：23nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：300pF @ 25V
- 功率_最大：43W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB
- 供应商设备封装：I-Pak
- 包装：管件
IRFU220NPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 200V 5A I-PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：5A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：600 毫欧 @ 2.9A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：23nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：300pF @ 25V
- 功率_最大：43W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB
- 供应商设备封装：I-Pak
- 包装：管件
- 接口 - 语音录制和重放 Nuvoton Technology Corporation of America 28-TSSOP (0.465", 11.80mm 宽) IC VOICE REC/PLAY 1-2MN 28-TSOP
- 近程 Omron Electronics Inc-IA Div - SENSOR PHOTO TB PNP 18M METAL
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div TUBE FIBR PROTECTN ARMR FLEX .5M
- FET - 单 International Rectifier TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB MOSFET N-CH 100V 8.7A I-PAK
- 光隔离器 - 逻辑输出 Avago Technologies US Inc. 8-SMD，鸥翼型 OPTOCOUPLER 10MBD 8-SMD GW
- PMIC - 稳压器 - 专用型 Intersil 28-SSOP（0.154"，3.90mm 宽） IC CTRLR DDR DRAM, SDRAM 28QSOP
- 接口 - 模拟开关，多路复用器，多路分解器 Intersil 10-VFDFN 裸露焊盘 IC SWITCH USB/CVBS/AUDIO 10-TDFN
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK
- 接口 - 语音录制和重放 Nuvoton Technology Corporation of America 28-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） IC VOICE REC/PLAY 1-2MN 28-SOIC
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div TUBE FIBR PROTECTN ARMOR FLEX 1M
- 光隔离器 - 逻辑输出 Avago Technologies US Inc. 8-SMD，鸥翼型 OPTOCOUPLER 12MBD 8-SMD
- PMIC - 稳压器 - DC DC 切换控制器 Intersil 28-VFQFN 裸露焊盘 IC REG CTRLR BUCK PWM VM 28-QFN
- 接口 - 模拟开关，多路复用器，多路分解器 Intersil 10-UFQFN IC USB SWITCH DUAL SPDT 10UTQFN
- FET - 单 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 30V 150A D2PAK
- 接口 - 语音录制和重放 Nuvoton Technology Corporation of America 28-TSSOP (0.465", 11.80mm 宽) IC VOICE REC/PLAY 2-4MN 28-TSOP
0755-18503085 
13410941925 
0755-23612326 
0755-22655674 
0755-82522939 
13189717928（同 
19166203057 
0755-15913992 
13316817713 
0755-82569753 
0755-88291559 
0755-88917652 
0755-84507209 
755-83252273 
0755-83679110 
755-83241160（ 
