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IRFSL23N15DPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 150V 23A TO-262; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：150V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：23A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：90 毫欧 @ 14A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：5.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：56nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1200pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA; 供应商设备封装：TO-262; 包装：管件

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