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IRFS9N60A详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：600V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：9.2A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：750 毫欧 @ 5.5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：49nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1400pF @ 25V; 功率_最大：170W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：管件

IRFS9N60APBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：600V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：9.2A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：750 毫欧 @ 5.5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：49nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1400pF @ 25V; 功率_最大：170W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：管件

IRFS9N60ATRL详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：600V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：9.2A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：750 毫欧 @ 5.5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：49nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1400pF @ 25V; 功率_最大：170W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：带卷 (TR)

IRFS9N60ATRLPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：600V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：9.2A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：750 毫欧 @ 5.5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：49nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1400pF @ 25V; 功率_最大：170W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：带卷 (TR)

IRFS9N60ATRR详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：600V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：9.2A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：750 毫欧 @ 5.5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：49nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1400pF @ 25V; 功率_最大：170W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：带卷 (TR)

IRFS9N60ATRRPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：600V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：9.2A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：750 毫欧 @ 5.5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：49nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1400pF @ 25V; 功率_最大：170W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：带卷 (TR)

MP8-3E-1F-1L-00
AC DC 转换器 Emerson Network Power/Embedded Power MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
IRFS9N60ATRL
FET - 单 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK
P51-2000-A-R-MD-4.5V-000-000
压力 SSI Technologies Inc 不锈钢 SENSOR 2000PSI M12-1.0 6G 4.5V
OSTYK60107030
接线座 - 隔板块 On Shore Technology Inc CONN BARRIER STRIP 7CIRC 10MM
OVSA1ABLCR8
LED - 分立式 TT Electronics/Optek Technology 4-PLCC LED DOME 591NM AMBER 60DEG PLCC4
P1172.602NLT
固定式 Pulse Electronics Corporation 非标准 INDUCTOR PWR SHIELD 6.0UH SMD
P51-1500-S-AF-P-20MA-000-000
压力 SSI Technologies Inc 不锈钢 SENSOR 1500PSIS 9/16 UNF 4-20MA
MP8-3E-1L-1L-01
AC DC 转换器 Emerson Network Power/Embedded Power MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
OSTYK44615030
接线座 - 隔板块 On Shore Technology Inc CONN BARRIER STRIP 15CIRC 9.50MM
OSTYK60107230
接线座 - 隔板块 On Shore Technology Inc CONN BARRIER STRIP 7CIRC 10MM
OVSA1BBC2R8
LED - 分立式 TT Electronics/Optek Technology 4-PLCC LED 470NM BLUE 120DEG SMD PLCC4
P1172.683NLT
固定式 Pulse Electronics Corporation 非标准 INDUCTOR PWR SHIELD 68UH SMD
P51-1500-S-AF-P-4.5V-000-000
压力 SSI Technologies Inc 不锈钢 SENSOR 1500PSI 9/16-18 UNF 4.5V
MP8-3E-1L-1L-03
AC DC 转换器 Emerson Network Power/Embedded Power MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
P51-2000-A-R-P-4.5V-000-000
压力 SSI Technologies Inc 不锈钢 SENSOR 2000PSI M12-1.06G .5-4.5V

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