IRFS4310PBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：130A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7 毫欧 @ 75A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：250nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：7670pF @ 50V
- 功率_最大：300W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D2PAK
- 包装：管件
IRFS4310TRLPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：130A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7 毫欧 @ 75A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：250nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：7670pF @ 50V
- 功率_最大：300W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D2PAK
- 包装：Digi-Reel®
IRFS4310TRLPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：130A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7 毫欧 @ 75A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：250nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：7670pF @ 50V
- 功率_最大：300W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D2PAK
- 包装：带卷 (TR)
IRFS4310TRLPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：130A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7 毫欧 @ 75A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：250nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：7670pF @ 50V
- 功率_最大：300W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D2PAK
- 包装：剪切带 (CT)
IRFS4310TRRPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：130A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7 毫欧 @ 75A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：250nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：7670pF @ 50V
- 功率_最大：300W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D2PAK
- 包装：带卷 (TR)
IRFS4310ZPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：120A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6 毫欧 @ 75A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 150µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：170nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：6860pF @ 50V
- 功率_最大：250W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D2PAK
- 包装：管件
- 矩形 Assmann WSW Components DIP CABLE - HDM26H/AE26G/HDM26H
- 跳线，预压接线 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H9991TR/A3048B/X 4"
- FET - 单 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK
- PMIC - 稳压器 - DC DC 切换控制器 Intersil 10-TFSOP，10-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） IC REG CTRLR PWM VM 10-MSOP
- 热 - 垫，片 t-Global Technology H48-6 SHEET 320X320X3MM
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0201（0603 公制） CAP CER 13PF 25V 5% NP0 0201
- PMIC - LED 驱动器 International Rectifier 8-DIP（0.300"，7.62mm） IC LED DRVR HP CONST CURR 8-DIP
- 热 - 垫，片 t-Global Technology H48-6 SHEET 640X320X1MM W/ADH
- 跳线，预压接线 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H9991TR/A3047Y/X 4"
- 过时/停产零件编号 Intersil 10-TFSOP，10-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） EVALUATION BOARD FOR ISL6745
- 热 - 垫，片 t-Global Technology H48-6 SHEET 640X320X10MM W/ADH
- PMIC - 照明，镇流器控制器 International Rectifier 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC BALLAST CTLR CCFL/EEFL 16SOIC
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0201（0603 公制） CAP CER 15PF 25V 5% NP0 0201
- 热 - 垫，片 t-Global Technology H48-6 SHEET 640X320X2MM W/ADH
- 跳线，预压接线 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H9991TR/A3048N/X 5"
0755-22655674 
0755-83202411 
13410941925 
0755-22929859 
0755-82561519 
13510131896 
0755-88917652 
0755-88291559 
0755-82569753 
0755-82574045 
075584505750 
0755-82522939 
0755-23613962 
19166203057 
0755-82723761 
