IRFS350 全国供应商、价格、PDF资料

IRFS3507详细规格

类别：FET - 单

描述：MOSFET N-CH 75V 97A D2PAK

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET特点：标准

漏极至源极电压333Vdss444：75V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：97A

开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.8 毫欧 @ 58A，10V

Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 100µA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：130nC @ 10V

输入电容333Ciss4440a0Vds：3540pF @ 50V

功率_最大：190W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB

供应商设备封装：D2PAK

包装：管件

IRFS3507TRLPBF详细规格

类别：FET - 单

描述：MOSFET N-CH 75V 97A D2PAK

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET特点：标准

漏极至源极电压333Vdss444：75V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：97A

开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.8 毫欧 @ 58A，10V

Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 100µA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：130nC @ 10V

输入电容333Ciss4440a0Vds：3540pF @ 50V

功率_最大：190W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB

供应商设备封装：D2PAK

包装：带卷 (TR)

IRFS350A详细规格

类别：FET - 单

描述：MOSFET N-CH 400V 11.5A TO-3PF

系列：-

制造商：Fairchild Semiconductor

FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET特点：标准

漏极至源极电压333Vdss444：400V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：11.5A

开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：300 毫欧 @ 5.75A，10V

Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：131nC @ 10V

输入电容333Ciss4440a0Vds：2780pF @ 25V

功率_最大：92W

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-220-3 整包

供应商设备封装：TO-220F

包装：管件