IRFS3306PBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：120A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.2 毫欧 @ 75A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 150µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：120nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：4520pF @ 50V
- 功率_最大：230W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D2PAK
- 包装：管件
IRFS3306TRLPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：120A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.2 毫欧 @ 75A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 150µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：120nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：4520pF @ 50V
- 功率_最大：230W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D2PAK
- 包装：带卷 (TR)
IRFS3306TRLPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：120A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.2 毫欧 @ 75A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 150µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：120nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：4520pF @ 50V
- 功率_最大：230W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D2PAK
- 包装：Digi-Reel®
IRFS3306TRLPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：120A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.2 毫欧 @ 75A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 150µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：120nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：4520pF @ 50V
- 功率_最大：230W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D2PAK
- 包装：剪切带 (CT)
IRFS3307详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 75V 130A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：75V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：130A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.3 毫欧 @ 75A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 150µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：180nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：5150pF @ 50V
- 功率_最大：250W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D2PAK
- 包装：管件
IRFS3307PBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：75V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：120A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.3 毫欧 @ 75A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 150µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：180nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：5150pF @ 50V
- 功率_最大：200W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D2PAK
- 包装：管件
- 振荡器 Fox Electronics 6-SMD，无引线（DFN，LCC） OSC 85 MHZ 3.3V HCMOS SMD
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0402（1005 公制） CAP CER 3.6PF 50V T2H 0402
- FET - 单 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK
- 面板至面板 - 面板衬垫，堆叠器 Samtec Inc 6-SMD，无引线（DFN，LCC） CONN BOARD STKR HDR .50" 24POS
- PMIC - 照明，镇流器控制器 International Rectifier 20-DIP（0.300"，7.62mm） IC PFC BALLAST CTLR 20DIP
- 存储器 Cypress Semiconductor Corp 165-LBGA IC SRAM 72MBIT 200MHZ 165LFBGA
- FET - 单 International Rectifier DirectFET? 等容 MN MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET
- 配件 Avago Technologies US Inc. CABLE POF GY SIMPLEX UNCONN 500M
- 振荡器 Fox Electronics 6-SMD，无引线（DFN，LCC） OSC 9.8304 MHZ 3.3V HCMOS SMD
- 面板至面板 - 面板衬垫，堆叠器 Samtec Inc 6-SMD，无引线（DFN，LCC） CONN BOARD STKR HDR .50" 26POS
- PMIC - 稳流/电流管理 International Rectifier 8-DIP（0.300"，7.62mm） IC CURRENT SENSE 600V 1MA 8-DIP
- 存储器 Cypress Semiconductor Corp 165-LBGA IC SRAM 72MBIT 200MHZ 165LFBGA
- FET - 单 International Rectifier DirectFET? 等容 MZ MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET
- 配件 Avago Technologies US Inc. CABLE POF GY SIMPLEX UNCONN 500M
- 振荡器 Fox Electronics 4-SMD，无引线（DFN，LCC） OSC 96 MHZ 3.3V HCMOS SMD
0755-83202411 
0755-82561519 
0755-88917652 
0755-88291559 
0755-82569753 
0755-22655674 
0755-82522939 
19166203057 
755-83252273 
0755-84507209 
0755-82542579 
0755-83231869 
0755-82533534 
010-62962871、 
0755-23915992 
19129493510 
