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IRFS31N20DTRLP详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：31A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：82 毫欧 @ 18A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：5.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2370pF @ 25V; 功率_最大：3.1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：带卷 (TR)

IRFS31N20DTRLP详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：31A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：82 毫欧 @ 18A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：5.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2370pF @ 25V; 功率_最大：3.1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：剪切带 (CT)

IRFS31N20DTRLP详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：31A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：82 毫欧 @ 18A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：5.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2370pF @ 25V; 功率_最大：3.1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：Digi-Reel®

IRFS31N20DTRLP供应商

IRFS31N20DTRLP 辉华拓展 0755-83286799
IRFS31N20DTRLP 深圳市正信鑫科技有限公司 0755-22655674
IRFS31N20DTRLP 艾睿（深圳）半导体有限公司 15813737183
IRFS31N20DTRLP 深圳市科雨电子有限公司 13352995145（微
IRFS31N20DTRLP 深圳市华美锐科技有限公司 0755-83035161
IRFS31N20DTRLP 深圳市华斯顿电子科技有限公司 0755-83777708
IRFS31N20DTRLP 深圳市诺洋电子科技有限公司 0755-83223003
IRFS31N20DTRLP 深圳市芯泽盛世科技有限公司 0755-89697985
IRFS31N20DTRLP 深圳恒际天威科技有限公司 755-23914055
IRFS31N20DTRLP 上海金庆电子科技京城市场部 021-51872165/
IRFS31N20DTRLP 深圳市百润电子有限公司 17876146278/1
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IRFS31N20DTRLP 上海金庆电子科技京城市场部 021-51872165/
IRFS31N20DTRLPBF 艾睿（深圳）半导体有限公司 15813737183
IRFS31N20DTRLP 深圳市科恒伟业电子有限公司 0755-83200050

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接线座 - 隔板块 On Shore Technology Inc CONN BARRIER STRIP 8CIRC 9.50MM
PCA9508D,118
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