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IRFRC20TR详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 600V 2A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：600V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.4 欧姆 @ 1.2A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：350pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：带卷 (TR)

IRFRC20TRL详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 600V 2A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：600V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.4 欧姆 @ 1.2A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：350pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：带卷 (TR)

IRFRC20TRLPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 600V 2A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：600V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.4 欧姆 @ 1.2A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：350pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：带卷 (TR)

IRFRC20TRPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 600V 2A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：600V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.4 欧姆 @ 1.2A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：350pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：剪切带 (CT)

IRFRC20TRPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 600V 2A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：600V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.4 欧姆 @ 1.2A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：350pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：Digi-Reel®

IRFRC20TRPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 600V 2A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：600V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.4 欧姆 @ 1.2A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：350pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：带卷 (TR)

IRF8707PBF
FET - 单 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
P50-100P-SR1-TG
板对板 - 阵列，边缘类型，包厢 3M 6-SMD，无引线 CONN PLUG 100POS R/A .050" GOL
OSTVJ136151
接线板 - 线至板 On Shore Technology Inc TERM BLOCK RISING CLAMP 13POS
NZQA6V8AXV5T3G
TVS - 二极管 ON Semiconductor SOT-553 IC TVS ARRAY QUAD ESD SOT-553
PCA9306DCTT
逻辑 - 变换器 Texas Instruments 7-LSSOP（0.11"?，2.80mm 宽） IC VOLT-LEVEL XLATRATOR 8-SM8
OSTYK51018330
接线座 - 隔板块 On Shore Technology Inc CONN BARRIER STRIP 18CIRC 9.50MM
P-140ASL3X2
电池组 Panasonic - BSG DO-214AA，SMB BATTERY PACK 7.2V 1400 MAH NICAD
IRF8714TRPBF
FET - 单 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
P50-100SG-SR1-EA
板对板 - 阵列，边缘类型，包厢 3M 6-SMD，无引线 CONN SOCKT 100POS R/A .050" GOLD
PCA9306DCURE4
逻辑 - 变换器 Texas Instruments 8-VFSOP（0.091"，2.30mm 宽） IC VOLT-LEVEL XLATRATOR 8-US8
OSTYK51024330
接线座 - 隔板块 On Shore Technology Inc CONN BARRIER STRIP 24CIRC 9.50MM
IRF8721GPBF
FET - 单 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
P14-10F-L
端子 - 铲形 Panduit Corp DO-214AA，SMB TERM FORK NON INS 16-14AWG
OSTVJ146155
接线板 - 线至板 On Shore Technology Inc TERM BLOCK RISING CLAMP 14POS
P50-120P-R1-EA
板对板 - 阵列，边缘类型，包厢 3M 钮扣电池 CONN PLUG 120POS STR .050" GLD

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