IRFR9310详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：400V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.8A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7 欧姆 @ 1.1A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：13nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：270pF @ 25V
- 功率_最大：50W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：D-Pak
- 包装：管件
IRFR9310PBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：400V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.8A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7 欧姆 @ 1.1A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：13nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：270pF @ 25V
- 功率_最大：50W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：D-Pak
- 包装：管件
IRFR9310TR详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：400V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.8A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7 欧姆 @ 1.1A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：13nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：270pF @ 25V
- 功率_最大：50W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：D-Pak
- 包装：带卷 (TR)
IRFR9310TRL详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：400V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.8A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7 欧姆 @ 1.1A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：13nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：270pF @ 25V
- 功率_最大：50W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：D-Pak
- 包装：带卷 (TR)
IRFR9310TRLPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：400V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.8A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7 欧姆 @ 1.1A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：13nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：270pF @ 25V
- 功率_最大：50W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：D-Pak
- 包装：带卷 (TR)
IRFR9310TRPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：400V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.8A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7 欧姆 @ 1.1A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：13nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：270pF @ 25V
- 功率_最大：50W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：D-Pak
- 包装：剪切带 (CT)
- 连接器，互连器件 ITT Cannon CONN RCPT 11POS W/SKT JAM NUT
- 线性 - 音頻放大器 Texas Instruments 30-WFBGA IC AMP AUD PWR STEREO SMD
- 配件 Microsemi SoC TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 HARDWARE IP DAUGHTER CARD
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK
- 线性 - 音頻放大器 Texas Instruments 12-WFBGA IC AMP AUDIO SPEAKER DVR 12USMD
- 连接器，互连器件 ITT Cannon CONN RCPT 11POS JAM NUT SKT
- 线性 - 音頻放大器 Texas Instruments 8-VFBGA IC AMP AUDIO PWR 1W MONO 8USMD
- 接口 - 传感器和探测器接口 Texas Instruments 14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC AMP PROGRAM AFE 14-SOIC
- PMIC - 电压基准 Intersil 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC VREF SERIES PREC 2.048V 8SOIC
- 线性 - 音頻放大器 Texas Instruments 12-WFBGA IC AMP AUDIO SPEAKER DVR 12USMD
- 连接器，互连器件 ITT Cannon CONN RCPT 32POS JAM NUT W/PIN
- 线性 - 音頻放大器 Texas Instruments 8-VFBGA IC AMP AUDIO PWR 1W MONO 8USMD
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC OP AMP PREC RR I/O SGL 8-SOIC
- FET - 单 Infineon Technologies TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 25V 50A DPAK
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
0755-82561519 
13510131896 
0755-88917652 
755-83241160（ 
0755-83777708 
0755-82569753 
0755-82574045 
19166203057 
755-83252273 
0755-83051566 
0755-84507209 
0755-23051326 
0755-82561519 
010-62962871、 
0755-83777607 
