IRFR5505详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：18A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：110 毫欧 @ 9.6A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：32nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：650pF @ 25V
- 功率_最大：57W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：D-Pak
- 包装：管件
IRFR5505CPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：18A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：110 毫欧 @ 9.6A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：32nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：650pF @ 25V
- 功率_最大：57W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：D-Pak
- 包装：管件
IRFR5505CTRLPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：18A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：110 毫欧 @ 9.6A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：32nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：650pF @ 25V
- 功率_最大：57W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：D-Pak
- 包装：带卷 (TR)
IRFR5505GTRPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：18A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：110 毫欧 @ 9.6A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：32nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：650pF @ 25V
- 功率_最大：57W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：D-Pak
- 包装：Digi-Reel®
IRFR5505GTRPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：18A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：110 毫欧 @ 9.6A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：32nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：650pF @ 25V
- 功率_最大：57W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：D-Pak
- 包装：剪切带 (CT)
IRFR5505GTRPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：18A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：110 毫欧 @ 9.6A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：32nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：650pF @ 25V
- 功率_最大：57W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：D-Pak
- 包装：带卷 (TR)
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div MOUNTING BRACKET DIN-RAIL
- FET - 单 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
- 配件 NKK Switches BOARD LOGIC 2OLED DISPLAY SOCKET
- PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 Intersil 10-VFDFN 裸露焊盘 IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 10-DFN
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向，圆盘 CAP CER 68PF 3KV 10% RADIAL
- 光学 - 光断续器 - 槽型 - 逻辑输出 Omron Electronics Inc-IA Div 模块，预接线 PHOTOELECTRIC SENSOR
- 评估演示板和套件 Intersil 6-WFBGA，CSPBGA EVAL BOARD FOR ISL59112IEZ
- IGBT - 单路 International Rectifier TO-220-3 整包 IGBT W/DIODE 600V 20.3A TO220FP
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div MOUNTING BRACKET DIN-RAIL
- PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 Intersil 10-VFDFN 裸露焊盘 IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 10-DFN
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向，圆盘 CAP CER 120PF 3KV 20% RADIAL
- 评估演示板和套件 Intersil 10-UFQFN EVAL BOARD FOR ISL59115IRUZ
- 光学 - 光断续器 - 槽型 - 逻辑输出 Omron Electronics Inc-IA Div 模块，预接线 RECEIVER ONLY FOR E3S-2B41
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div L-BRACKET TALL HORIZONT FOR E3T
- IGBT - 单路 International Rectifier TO-220-3 整包 IGBT W/DIODE 600V 17A TO220FP
0755-22655674 
0755-83202411 
0755-82533156 
0755-82561519 
13510131896 
0755-88917652 
0755-82561519 
755-83241160（ 
0755-82524712 
0755-88291559 
0755-83777708 
0755-82569753 
0755-82574045 
075584505750 
0755-82522939 
