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IRFR3706详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 20V 75A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：75A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9 毫欧 @ 15A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：35nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2410pF @ 10V; 功率_最大：88W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：管件

IRFR3706CPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 20V 75A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：75A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9 毫欧 @ 15A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：35nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2410pF @ 10V; 功率_最大：88W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：管件

IRFR3706CTRLPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 20V 75A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：75A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9 毫欧 @ 15A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：35nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2410pF @ 10V; 功率_最大：88W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：带卷 (TR)

IRFR3706CTRRPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 20V 75A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：75A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9 毫欧 @ 15A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：35nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2410pF @ 10V; 功率_最大：88W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：带卷 (TR)

IRFR3706PBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 20V 75A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：75A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9 毫欧 @ 15A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：35nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2410pF @ 10V; 功率_最大：88W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：管件

IRFR3706TR详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 20V 75A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：75A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9 毫欧 @ 15A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：35nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2410pF @ 10V; 功率_最大：88W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：带卷 (TR)

GQM1875C2E470JB12D
陶瓷 Murata Electronics North America 0603（1608 公制） CAP CER 47PF 250V 5% NP0 0603
IRFR3706CTRRPBF
FET - 单 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 20V 75A DPAK
IRFR18N15DTRPBF
FET - 单 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 150V 18A DPAK
FP1308-R11-R
固定式 Cooper Bussmann 非标准 INDUCTOR HIGH CURRENT 110NH SMD
IRMCK312TR
PMIC - 电机和风扇控制器，驱动器 International Rectifier 100-LQFP IC MOTOR CTRL OTP BASED 100-QFP
H3CWH-2618M
矩形 Assmann WSW Components IDC CABLE - HKC26H/AE26M/HPL26H
H3CWH-2636M
矩形 Assmann WSW Components IDC CABLE - HKC26H/AE26M/HPL26H
GQM1875C2E470JB12D
陶瓷 Murata Electronics North America 0603（1608 公制） CAP CER 47PF 250V 5% NP0 0603
H5CZ-L8 AC100-240
延时型 Omron Electronics Inc-IA Div TIMER DGTL NON-UL MELA 8PIN SKT
FP1308R1-R26-R
固定式 Cooper Bussmann 非标准 INDUCTOR HIGH CURRENT 260NH SMD
IRMCK312TR
PMIC - 电机和风扇控制器，驱动器 International Rectifier 100-LQFP IC MOTOR CTRL OTP BASED 100-QFP
H3CWH-3006M
矩形 Assmann WSW Components IDC CABLE - HKC30H/AE30M/HPL30H
GQM1875C2E6R0CB12D
陶瓷 Murata Electronics North America 0603（1608 公制） CAP CER 6PF 250V NP0 0603
IRFR3707
FET - 单 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 30V 61A DPAK
H5S-WB2D
延时型 Omron Electronics Inc-IA Div TIME SWITCH DGTL WEEK 2CIRC 24V

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