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IRFR3704Z详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 20V 60A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：60A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.4 毫欧 @ 15A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.55V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1190pF @ 10V; 功率_最大：48W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：管件

IRFR3704ZCPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 20V 60A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：60A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.4 毫欧 @ 15A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：-; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1190pF @ 10V; 功率_最大：48W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：管件

IRFR3704ZPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 20V 60A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：60A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.4 毫欧 @ 15A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.55V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1190pF @ 10V; 功率_最大：48W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：管件

IRFR3704ZTRLPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 20V 60A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：60A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.4 毫欧 @ 15A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.55V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1190pF @ 10V; 功率_最大：48W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：带卷 (TR)

IRFR3704ZTRPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 20V 60A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：60A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.4 毫欧 @ 15A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.55V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1190pF @ 10V; 功率_最大：48W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：Digi-Reel®

IRFR3704ZTRPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 20V 60A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：60A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.4 毫欧 @ 15A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.55V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1190pF @ 10V; 功率_最大：48W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：带卷 (TR)

IPT1-115-01-S-D-VS
矩形- 接头，公引脚 Samtec Inc 模块 CONN PLUG .100" 30POS DL PCB SMD
K472M15X7RF53H5
陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 4700PF 50V X7R RADIAL
LM3S3W26-IQR50-C0T
嵌入式 - 微控制器， Texas Instruments 64-LQFP IC ARM CORTEX MCU 32KB 64LQFP
IRFR3704Z
FET - 单 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 20V 60A DPAK
ISL84781IR-T
接口 - 模拟开关，多路复用器，多路分解器 Intersil 16-WFQFN 裸露焊盘 IC MUX/DEMUX 8X1 16TQFN
KB15KKW01-6F-JB
按钮 NKK Switches SWITCH PUSHBUTTON SPDT 1A 125V
IRFBE20
FET - 单 Vishay Siliconix TO-220-3 MOSFET N-CH 800V 1.8A TO-220AB
K472M15X7RH5TH5
陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 4700PF 100V X7R RADIAL
IPT1-118-01-S-D-RA
矩形- 接头，公引脚 Samtec Inc 模块 CONN SHROUDED PWR SOCKET 36POS
LM3S3W26-IQR50-C3
嵌入式 - 微控制器， Texas Instruments 64-LQFP IC ARM CORTEX MCU 32KB 64LQFP
ISL84781IRZ-T
接口 - 模拟开关，多路复用器，多路分解器 Intersil 16-WFQFN 裸露焊盘 IC MUX/DEMUX 8X1 16TQFN
KB15KKW01B
按钮 NKK Switches SWITCH PUSHBUTTON SPDT 1A 125V
IRFBF20STRL
FET - 单 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK
K472M15X7RH5TL2
陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 4700PF 100V X7R RADIAL
IRFR3706
FET - 单 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 20V 75A DPAK

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