

IRFR3303详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 33A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:33A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:31 毫欧 @ 18A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:29nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:750pF @ 25V
- 功率_最大:57W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:管件
IRFR3303CPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 33A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:33A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:31 毫欧 @ 18A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:29nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:750pF @ 25V
- 功率_最大:57W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:管件
IRFR3303PBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 33A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:33A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:31 毫欧 @ 18A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:29nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:750pF @ 25V
- 功率_最大:57W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:管件
IRFR3303TR详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 33A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:33A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:31 毫欧 @ 18A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:29nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:750pF @ 25V
- 功率_最大:57W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
IRFR3303TRL详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 33A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:33A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:31 毫欧 @ 18A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:29nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:750pF @ 25V
- 功率_最大:57W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
IRFR3303TRLPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 33A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:33A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:31 毫欧 @ 18A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:29nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:750pF @ 25V
- 功率_最大:57W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
- 支架 - 配件 Hammond Manufacturing PBPC-8 BULB LIGHT 115VDC 7W
- TVS - 二极管 Littelfuse Inc DO-214AC,SMA DIODE TVS 400W 530V BI 10% SMD
- 接线板 - 线至板 On Shore Technology Inc TERMINAL BLOCK 5.08MM 3POS PCB
- FET - 单 International Rectifier TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 30V 33A DPAK
- 电池组 Panasonic - BSG 1206(3216 公制) BATTERY PACK 10.8V 1200MAH NICAD
- AC DC 转换器 Emerson Network Power/Embedded Power MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
- 螺线形绕线,伸缩套管 Techflex 模块 NOMEX SLEEVING 1/2" GREEN 25’
- 接线座 - 隔板块 On Shore Technology Inc CONN BARRIER STRIP 9CIRC 9.50MM
- 谐振器 AVX Corp/Kyocera Corp 3-SMD,非标准型 RESONATOR CER 12.50MHZ SMD
- TVS - 二极管 Littelfuse Inc DO-214AC,SMA DIODE TVS 400W 540V UNI 5% SMD
- AC DC 转换器 Emerson Network Power/Embedded Power MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
- 螺线形绕线,伸缩套管 Techflex 模块 NOMEX SLEEVING 3/4" GREEN 25’
- 电池组 Panasonic - BSG 1206(3216 公制) BATTERY PACK 4.8V 1200 MAH NICAD
- 谐振器 AVX Corp/Kyocera Corp - RESONATOR CER 14.74MHZ SMD
- 接线座 - 隔板块 On Shore Technology Inc CONN BARRIER STRIP 20CIRC 9.50MM