

IRFR2905ZPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:42A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:14.5 毫欧 @ 36A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:44nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1380pF @ 25V
- 功率_最大:110W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:管件
IRFR2905ZTR详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:42A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:14.5 毫欧 @ 36A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:44nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1380pF @ 25V
- 功率_最大:110W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
IRFR2905ZTRL详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:42A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:14.5 毫欧 @ 36A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:44nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1380pF @ 25V
- 功率_最大:110W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
IRFR2905ZTRLPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:42A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:14.5 毫欧 @ 36A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:44nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1380pF @ 25V
- 功率_最大:110W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
IRFR2905ZTRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:42A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:14.5 毫欧 @ 36A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:44nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1380pF @ 25V
- 功率_最大:110W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:剪切带 (CT)
IRFR2905ZTRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:42A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:14.5 毫欧 @ 36A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:44nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1380pF @ 25V
- 功率_最大:110W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
- 配件 Avago Technologies US Inc. HDWR V-LINK PORT CAPS SMA 500EA
- PMIC - 监控器 Intersil SC-74A,SOT-753 IC VOLTAGE MONITOR DUAL SOT23-5
- FET - 单 IXYS TO-220-3 MOSFET N-CH 600V 10A TO-220
- FET - 单 International Rectifier TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 150V 24A DPAK
- 振荡器 Fox Electronics 6-SMD,无引线(DFN,LCC) OSC 148.5 MHZ 2.5V LVDS SMD
- 存储器 Cypress Semiconductor Corp 100-LQFP IC SRAM 9MBIT 133MHZ 100LQFP
- LED - 分立式 Avago Technologies US Inc. 径向 LED 5MM ALINGAP2 AMBER 30X70DEG
- FET - 单 International Rectifier TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA MOSFET N-CH 30V 87A TO-262
- FET - 单 IXYS TO-3P-3,SC-65-3 MOSFET N-CH 600V 28A TO3P
- 评估演示板和套件 Intersil SC-74A,SOT-753 BOARD EVALUATION FOR ISL88015
- 振荡器 Fox Electronics 6-SMD,无引线(DFN,LCC) OSC 311 MHZ 2.5V LVDS SMD
- 存储器 Cypress Semiconductor Corp 52-QFP IC SRAM 16KBIT 25NS 52QFP
- LED - 分立式 Avago Technologies US Inc. 径向 LED OVAL 5MM 525NM INGAN GREEN
- FET - 单 International Rectifier TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK
- 配件 Avago Technologies US Inc. HDWR V-LINK NUTSWASHERS 100EA ST