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IRFR2405PBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 55V 56A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：55V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：56A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：16 毫欧 @ 34A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2430pF @ 25V; 功率_最大：110W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：管件

IRFR2405TRL详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 55V 56A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：55V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：56A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：16 毫欧 @ 34A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2430pF @ 25V; 功率_最大：110W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：带卷 (TR)

IRFR2405TRLPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 55V 56A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：55V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：56A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：16 毫欧 @ 34A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2430pF @ 25V; 功率_最大：110W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：带卷 (TR)

IRFR2405TRPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 55V 56A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：55V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：56A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：16 毫欧 @ 34A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2430pF @ 25V; 功率_最大：110W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：Digi-Reel®

IRFR2405TRPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 55V 56A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：55V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：56A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：16 毫欧 @ 34A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2430pF @ 25V; 功率_最大：110W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：剪切带 (CT)

IRFR2405TRPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 55V 56A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：55V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：56A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：16 毫欧 @ 34A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2430pF @ 25V; 功率_最大：110W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：带卷 (TR)

P4SMA350A
TVS - 二极管 Littelfuse Inc DO-214AC，SMA DIODE TVS 400W 350V UNI 5% SMD
OSTVF207151
接线座 - 接头，插头和插口 On Shore Technology Inc CONN TERM BLK HEADER 20POS 5MM
IRFR224TRLPBF
FET - 单 Vishay Siliconix TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 250V 3.8A DPAK
P118
配件 Electroswitch 非标准 DIAL PLATE 1-11 DIGIT 1.87"DIA
NX8045GB-24.000000MHZ
晶体 NDK 2-SMD CRYSTAL 24.000000 MHZ 8PF SMD
OSTKH090551
接线板 - 线至板 On Shore Technology Inc CONN TERM BLOCK 6.35MM 9POS
PBPS19005GY2
支架 - 元件 Hammond Manufacturing PBPC-8 PANEL FRONT 19X5.22X0.07" GREY
OSTYK42113030
接线座 - 隔板块 On Shore Technology Inc CONN BARRIER STRIP 13CIRC 8.25MM
P4SMA350A
TVS - 二极管 Littelfuse Inc DO-214AC，SMA DIODE TVS 400W 350V UNI 5% SMD
OSTVF225051
接线座 - 接头，插头和插口 On Shore Technology Inc CONN TERM BLK HDR 22POS 5.08MM
NX8045GB-24.000000MHZ
晶体 NDK 2-SMD CRYSTAL 24.000000 MHZ 8PF SMD
OSTKH131550
接线板 - 线至板 On Shore Technology Inc CONN TERM BLOCK 7.62MM 13POS
PBPS19007CG2
支架 - 元件 Hammond Manufacturing PBPC-8 PANEL FRONT 19X7X0.07" BE/GY
OSTYK42120030
接线座 - 隔板块 On Shore Technology Inc CONN BARRIER STRIP 20CIRC 8.25MM
P4SMA36
TVS - 二极管 Littelfuse Inc DO-214AC，SMA DIODE TVS 400W 36V UNI 10% SMD

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