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IRFR1N60A详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：600V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.4A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7 欧姆 @ 840mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：229pF @ 25V; 功率_最大：36W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：管件

IRFR1N60APBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：600V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.4A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7 欧姆 @ 840mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：229pF @ 25V; 功率_最大：36W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：管件

IRFR1N60ATR详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：600V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.4A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7 欧姆 @ 840mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：229pF @ 25V; 功率_最大：36W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：带卷 (TR)

IRFR1N60ATRL详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：600V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.4A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7 欧姆 @ 840mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：229pF @ 25V; 功率_最大：36W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：带卷 (TR)

IRFR1N60ATRLPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：600V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.4A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7 欧姆 @ 840mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：229pF @ 25V; 功率_最大：36W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：带卷 (TR)

IRFR1N60ATRPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：600V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.4A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7 欧姆 @ 840mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：229pF @ 25V; 功率_最大：36W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：带卷 (TR)

HLMP-AD16-ST0DD
LED - 分立式 Avago Technologies US Inc. 径向 LED 5MM ALINGAP2 RED 30X70DEG
IRF3000PBF
FET - 单 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N-CH 300V 1.6A 8-SOIC
IRFR15N20DTRRP
FET - 单 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 200V 17A DPAK
ISL88012IH526Z-T7A
PMIC - 监控器 Intersil SC-74A，SOT-753 IC VOLTAGE MONITOR DUAL SOT23-5
FVXO-HC73BR-37.056
振荡器 Fox Electronics 6-SMD，无引线（DFN，LCC） OSC 37.056 MHZ 3.3V HCMOS SMD
CY7C1355C-100AXC
存储器 Cypress Semiconductor Corp 100-LQFP IC SRAM 9MBIT 100MHZ 100LQFP
IXFN280N07
FET IXYS SOT-227-4，miniBLOC MOSFET N-CH 70V 280A SOT-227B
HFBR-4120Z
配件 Avago Technologies US Inc. HDWR V-LINK PLUG HFBR-0400 ST
HLMP-AD60-YZTZZ
LED - 分立式 Avago Technologies US Inc. 径向 LED 5MM ALINGAP2 RED 30X70DEG
CY7C1355C-133BGXC
存储器 Cypress Semiconductor Corp 119-BGA IC SRAM 9MBIT 133MHZ 119BGA
FVXO-HC73BR-38.88
振荡器 Fox Electronics 6-SMD，无引线（DFN，LCC） OSC 38.88 MHZ 3.3V HCMOS SMD
IXFN320N17T2
FET IXYS SOT-227-4，miniBLOC MOSFET N-CH 170V 260A SOT227
ISL88012IH529Z-TK
PMIC - 监控器 Intersil SC-74A，SOT-753 IC VOLTAGE MONITOR DUAL SOT23-5
HFBR-4401
配件 Avago Technologies US Inc. HDWR V-LINK NUTS/WASH 100EA SMA
IRF3205ZSTRLPBF
FET - 单 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

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