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IRFR120Z详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：8.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：190 毫欧 @ 5.2A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：310pF @ 25V; 功率_最大：35W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：管件

IRFR120ZPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：8.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：190 毫欧 @ 5.2A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：310pF @ 25V; 功率_最大：35W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：管件

IRFR120ZTR详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：8.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：190 毫欧 @ 5.2A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：310pF @ 25V; 功率_最大：35W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：带卷 (TR)

IRFR120ZTRL详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：8.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：190 毫欧 @ 5.2A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：310pF @ 25V; 功率_最大：35W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：带卷 (TR)

IRFR120ZTRLPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：8.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：190 毫欧 @ 5.2A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：310pF @ 25V; 功率_最大：35W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：带卷 (TR)

IRFR120ZTRPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：8.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：190 毫欧 @ 5.2A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：310pF @ 25V; 功率_最大：35W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：带卷 (TR)

IRF7321D2TR
FET - 单 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET P-CH 30V 4.7A 8-SOIC
IRDCIP1001-B
过时/停产零件编号 International Rectifier CONV SGL PHA SYNC BUCK 5-12V
IRFR1205TRLPBF
FET - 单 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 55V 44A DPAK
IPG20N06S2L-65
FET - 阵列 Infineon Technologies 8-PowerTDFN MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8-4
DTS24F17-35JN
连接器，互连器件 TE Connectivity CONN RCPT 55POS JAM NUT W/SKT
IMC1812RQR82J
固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 820NH 5% 1812
DTS26F17-6PD
连接器，互连器件 TE Connectivity CONN PLUG 6POS STRGHT W/PINS
E32-T12F 5M
配件 Omron Electronics Inc-IA Div SENS FLUORORESN 80CM THRUBEAM 5M
IRDCIP2001-A
过时/停产零件编号 International Rectifier IC CONVRTR 2PH BUCK 40A W/IP2001
IPI034NE7N3 G
FET - 单 Infineon Technologies TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA MOSFET N-CH 75V 100A TO262-3
DTS24F17-35PC
连接器，互连器件 TE Connectivity CONN RCPT 55POS JAM NUT W/PINS
IMC1812RV101J
固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 100UH 5% 1812
DTS26F17-6PD-LC
圆形 - 外壳 TE Connectivity CONN HSG PLUG STRGHT 6POS PIN
E32-T12F-6
配件 Omron Electronics Inc-IA Div SENS FLUORORESIN 80CM THRU BEAM
IRF1010EZLPBF
FET - 单 International Rectifier TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA MOSFET N-CH 60V 75A TO-262

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