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IRFR024详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 60V 14A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：14A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫欧 @ 8.4A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：640pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：管件

IRFR024NPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 55V 17A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：55V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：17A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：75 毫欧 @ 10A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：370pF @ 25V; 功率_最大：45W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：管件

IRFR024NTRLPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 55V 17A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：55V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：17A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：75 毫欧 @ 10A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：370pF @ 25V; 功率_最大：45W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：带卷 (TR)

IRFR024NTRPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 55V 17A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：55V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：17A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：75 毫欧 @ 10A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：370pF @ 25V; 功率_最大：45W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：Digi-Reel®

IRFR024NTRPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 55V 17A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：55V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：17A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：75 毫欧 @ 10A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：370pF @ 25V; 功率_最大：45W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：剪切带 (CT)

IRFR024NTRPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 55V 17A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：55V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：17A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：75 毫欧 @ 10A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：370pF @ 25V; 功率_最大：45W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：带卷 (TR)

PBLS4003V,115
晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 NXP Semiconductors SOT-563，SOT-666 LOADSWITCH PNP 40V 500MA SOT666
P1168.501NLT
固定式 Pulse Electronics Corporation 非标准 INDUCTOR PWR SHIELD 0.5UH SMD
IRFR024NTRPBF
FET - 单 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
OSTHX022181
接线板 - 线至板 On Shore Technology Inc TERM BLOCK SPRING 3.50MM 2POS
OSTVE053150
接线座 - 接头，插头和插口 On Shore Technology Inc CONN TERM BLK HDR 5POS 3.81MM
NX5032GA-48.000000MHZ-LN-CD-1
晶体 NDK 2-SMD CRYSTAL 48.000000 MHZ 8PF SMD
P4SMA13CAHE3/61
TVS - 二极管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AC，SMA TVS 400W 13V 5% BIDIR SMA
OSTYK33521030
接线座 - 隔板块 On Shore Technology Inc CONN BARRIER STRIP 21CIRC 8.25MM
PBLS4003V,115
晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 NXP Semiconductors SOT-563，SOT-666 LOADSWITCH PNP 40V 500MA SOT666
OSTVE083250
接线座 - 接头，插头和插口 On Shore Technology Inc CONN TERM BLK HDR 8POS 3.81MM
OSTHX042181
接线板 - 线至板 On Shore Technology Inc TERM BLOCK SPRING 3.50MM 4POS
NX5032GB-16MHZ-STD-CSK-5
晶体 NDK 2-SMD CRYSTAL 16.000 MHZ 8 PF SMD
P4SMA150
TVS - 二极管 Littelfuse Inc DO-214AC，SMA DIODE TVS 400W 150V UNI 10% SMD
PBLS4004D,115
晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 NXP Semiconductors SC-74，SOT-457 LOADSWITCH PNP 40V 1A 6TSOP
OSTYK40104030
接线座 - 隔板块 On Shore Technology Inc CONN BARRIER STRIP 4CIRC 8.25MM

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