IRFR010的供应信息|PDF资料|求购IRFR010上51电子网

IRFR010详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：50V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：8.2A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫欧 @ 4.2A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：250pF @ 25V; 功率_最大：25W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：管件

IRFR010PBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：50V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：8.2A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫欧 @ 4.2A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：250pF @ 25V; 功率_最大：25W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：管件

IRFR010TR详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：50V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：8.2A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫欧 @ 4.2A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：250pF @ 25V; 功率_最大：25W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：带卷 (TR)

IRFR010TRL详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：50V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：8.2A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫欧 @ 4.2A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：250pF @ 25V; 功率_最大：25W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：带卷 (TR)

IRFR010TRLPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：50V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：8.2A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫欧 @ 4.6A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：250pF @ 25V; 功率_最大：25W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：带卷 (TR)

IRFR010TRPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：50V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：8.2A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫欧 @ 4.6A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：250pF @ 25V; 功率_最大：25W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：带卷 (TR)

IRDC3073
过时/停产零件编号 International Rectifier PWM CONTROLLER DESIGN KIT
IRF7301PBF
FET - 阵列 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-SOIC
IMC1812RQ2R7J
固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 2.7UH 5% 1812
DTS26F17-35HN
连接器，互连器件 TE Connectivity CONN PLUG 55POS STRGHT W/PINS
IRFPS29N60LPBF
FET - 单 Vishay Siliconix TO-274AA MOSFET N-CH 600V 29A SUPER247
IP-DC-SA
配件 Microsemi SoC TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 HARDWARE IP DAUGHTER CARD
E32-T121F 2M
配件 Omron Electronics Inc-IA Div SENSOR FIBER FLEXIBLE 2M
IRDC3073
过时/停产零件编号 International Rectifier PWM CONTROLLER DESIGN KIT
DTS24F17-26AE
圆形 - 外壳 TE Connectivity CONN HSG RCPT JAM NUT 26POS PIN
IP-DC-SA
配件 Microsemi SoC TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 HARDWARE IP DAUGHTER CARD
DTS26F17-35JB
连接器，互连器件 TE Connectivity CONN PLUG 55POS STRGHT W/SKT
IMC1812RQ330J
固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 33UH 5% 1812
IRDC3622D
评估板 - DC/DC 与 AC/DC（离线）SMPS International Rectifier BOARD EVAL W/IR3622MPBF DUAL OUT
E32-T121F 2M
配件 Omron Electronics Inc-IA Div SENSOR FIBER FLEXIBLE 2M
IRF7306TR
FET - 阵列 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8-SOIC

IRFR010 全国供应商、价格、PDF资料