IRFP460详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 500V 20A TO-247AD
- 系列：MegaMOS™
- 制造商：IXYS
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：500V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：20A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：270 毫欧 @ 12A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：210nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：4200pF @ 25V
- 功率_最大：260W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-3P-3 整包
- 供应商设备封装：TO-247AD
- 包装：管件
IRFP460详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 500V 18.4A TO-247
- 系列：PowerMESH™
- 制造商：STMicroelectronics
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：500V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：18.4A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：270 毫欧 @ 9A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：128nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：2980pF @ 25V
- 功率_最大：220W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-247-3
- 供应商设备封装：TO-247-3
- 包装：管件
IRFP460详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 500V 20A TO-247AC
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：500V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：20A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：270 毫欧 @ 12A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：210nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：4200pF @ 25V
- 功率_最大：280W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-247-3
- 供应商设备封装：TO-247-3
- 包装：管件
IRFP460A详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 500V 20A TO-247AC
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：500V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：20A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：270 毫欧 @ 12A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：105nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：3100pF @ 25V
- 功率_最大：280W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-247-3
- 供应商设备封装：TO-247-3
- 包装：管件
IRFP460APBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 500V 20A TO-247AC
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：500V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：20A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：270 毫欧 @ 12A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：105nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：3100pF @ 25V
- 功率_最大：280W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-247-3
- 供应商设备封装：TO-247-3
- 包装：管件
IRFP460C详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 500V 20A TO-3P
- 系列：-
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：500V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：20A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：240 毫欧 @ 10A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：170nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：6000pF @ 25V
- 功率_最大：235W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-3P-3，SC-65-3
- 供应商设备封装：TO-3PN
- 包装：管件
- DC DC Converters Power-One 模块 EURO-CASSETTE 106W 2X 24V
- 跳线，预压接线 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1504TR/A3049G/X 10"
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 88POS R/A .156 SLD
- FET - 单 IXYS TO-3P-3 整包 MOSFET N-CH 500V 20A TO-247AD
- FET - 单 International Rectifier TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB MOSFET N-CH 30V 161A I-PAK
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div RELAY BLK TRM CBL 5M
- 跳线，预压接线 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1504TR/A2015L/X 10"
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0603（1608 公制） CAP CER 11PF 250V 5% NP0 0603
- 跳线，预压接线 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H2728TR/C2065N/X 8"
- 跳线，预压接线 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1504TR/A3049R/X 10"
- 功率，高于 2 安 Omron Electronics Inc-IA Div RELAY GEN PURPOSE 4PST 25A 240V
- FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA MOSFET N-CH 100V 5.6A I2PAK
- 跳线，预压接线 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H2728TR/C2064R/X 8"
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0603（1608 公制） CAP CER 12PF 250V 2% NP0 0603
- 跳线，预压接线 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1504TR/A3048W/X 10"
021-62153656青 
13410665908 
0755-83202411 
19166203057 
0755-82569753 
0755-23612326 
0755-23613962 
0755-82574045 
0755-83258002 
0755*83682918 
0755-82533534 
755-83252273 
0755-82561519 
83209217 
021-51872165/ 
0755-88291559 
