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IRFP044N详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 55V 53A TO-247AC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：55V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：53A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫欧 @ 29A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：61nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1500pF @ 25V; 功率_最大：120W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-247-3; 供应商设备封装：TO-247AC; 包装：散装

IRFP044NPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 55V 53A TO-247AC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：55V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：53A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫欧 @ 29A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：61nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1500pF @ 25V; 功率_最大：120W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-247-3; 供应商设备封装：TO-247AC; 包装：散装

IRFP044PBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 60V 57A TO-247AC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：57A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：28 毫欧 @ 34A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：95nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2500pF @ 25V; 功率_最大：180W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-247-3; 供应商设备封装：TO-247-3; 包装：管件

IRFP048N详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 55V 64A TO-247AC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：55V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：64A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：16 毫欧 @ 37A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：89nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1900pF @ 25V; 功率_最大：140W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-247-3; 供应商设备封装：TO-247AC; 包装：散装

IRFP048NPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 55V 64A TO-247AC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：55V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：64A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：16 毫欧 @ 37A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：89nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1900pF @ 25V; 功率_最大：140W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-247-3; 供应商设备封装：TO-247AC; 包装：散装

IRFP048PBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 60V 70A TO-247AC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：70A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：18 毫欧 @ 44A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2400pF @ 25V; 功率_最大：190W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-247-3; 供应商设备封装：TO-247-3; 包装：管件

K682M20X7RL53H5
陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 6800PF 500V 20% RADIAL
LD051A221JAB2A
陶瓷 AVX Corporation 0805（2012 公制） CAP CER 220PF 100V 5% NP0 0805
ISC1210ER6R8K
固定式 Vishay Dale 1210（3225 公制） INDUCTOR WW 6.8UH 10% 1210
IRFL9110TR
FET - 单 Vishay Siliconix TO-261-4，TO-261AA MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223
JS-45
配件 Honeywell Sensing and Control AUXILIARY ACTUATOR ROLLER LEVER
LD12AA331JAB1A
陶瓷 AVX Corporation 1812（4532 公制） CAP CER 330PF 1KV 5% NP0 1812
JWM11RB2B/UCV
摇臂 NKK Switches 1206（3216 公制）宽（长侧）0612（1632 公制） SWITCH ROCKER SPST 10A 125V
L6375STR
PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 内部开关 STMicroelectronics 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC DRIVER HI SIDE 0.5A IPS SOIC8
K683K10X7RF5UL2
陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 0.068UF 50V 10% RADIAL
ISC1210ERR10K
固定式 Vishay Dale INDUCTOR WW 100NH 10% 1210
JS48F4400P0VB00A
存储器 Micron Technology Inc 56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） IC FLASH 512MBIT 85NS 56TSOP
LD12AA331JAB1A
陶瓷 AVX Corporation 1812（4532 公制） CAP CER 330PF 1KV 5% NP0 1812
JWM11RBA/UCV
摇臂 NKK Switches 1206（3216 公制）宽（长侧）0612（1632 公制） SWITCH ROCKER SPST 10A 125V
L6377D013TR
PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 内部开关 STMicroelectronics 14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC IPS 0.5A 14-SOIC
LD051A2R0CAB2A
陶瓷 AVX Corporation 0805（2012 公制） CAP CER 2PF 100V NP0 0805

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