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IRFL9110详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.1A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.2 欧姆 @ 660mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：8.7nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：200pF @ 25V; 功率_最大：2W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA; 供应商设备封装：SOT-223; 包装：管件

IRFL9110PBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.1A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.2 欧姆 @ 660mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：8.7nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：200pF @ 25V; 功率_最大：2W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA; 供应商设备封装：SOT-223; 包装：管件

IRFL9110TR详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.1A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.2 欧姆 @ 660mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：8.7nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：200pF @ 25V; 功率_最大：2W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA; 供应商设备封装：SOT-223; 包装：带卷 (TR)

IRFL9110TRPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.1A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.2 欧姆 @ 660mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：8.7nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：200pF @ 25V; 功率_最大：2W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA; 供应商设备封装：SOT-223; 包装：剪切带 (CT)

IRFL9110TRPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.1A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.2 欧姆 @ 660mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：8.7nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：200pF @ 25V; 功率_最大：2W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA; 供应商设备封装：SOT-223; 包装：Digi-Reel®

IRFL9110TRPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.1A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.2 欧姆 @ 660mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：8.7nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：200pF @ 25V; 功率_最大：2W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA; 供应商设备封装：SOT-223; 包装：带卷 (TR)

OSTHT231080
接线板 - 线至板 On Shore Technology Inc CON TERMINAL BLOCK SPRING CLAMP
NX3L2T384GM,125
接口 - 模拟开关，多路复用器，多路分解器 NXP Semiconductors 8-XFQFN 裸露焊盘 IC ANALOG SWITCH SPDT 8XQFN
IRFL9110TRPBF
FET - 单 Vishay Siliconix TO-261-4，TO-261AA MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223
P112
配件 Electroswitch 6-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） DIAL PLATE 1-12 DIGIT 1.87" DIA
PBFS19019GY2
支架 - 元件 Hammond Manufacturing PANEL FRONT 19.2X19X0.5" GREY
OSTTA180161B
接线板 - 线至板 On Shore Technology Inc TERM BLOCK 5.00MM 18POS
P4KE62A
TVS - 二极管 Littelfuse Inc DO-204AL，DO-41，轴向 DIODE TVS 400W 62V UNI 5% AXL
OSTV8205150
接线座 - 接头，插头和插口 On Shore Technology Inc TERM BLOCK PLUG 5.08MM 20POS
NX3V1G384GM,115
接口 - 模拟开关，多路复用器，多路分解器 NXP Semiconductors 6-XFDFN IC ANALOG SWITCH SPST XSON6
P112
配件 Electroswitch 6-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） DIAL PLATE 1-12 DIGIT 1.87" DIA
OSTTB080161
接线板 - 线至板 On Shore Technology Inc TERMINAL BLOCK 5MM HOR 8POS PCB
PBFS19022LG2
支架 - 元件 Hammond Manufacturing PANEL FRONT 22.7X19X0.5" GREY
P4KE68A-B
TVS - 二极管 Littelfuse Inc DO-204AL，DO-41，轴向 TVS DIODE AXIAL LEAD - BULK
OSTV8215151
接线座 - 接头，插头和插口 On Shore Technology Inc TERM BLOCK PLUG 5.08MM 21POS
OSTHT234080
接线板 - 线至板 On Shore Technology Inc CON TERMINAL BLOCK SPRING CLAMP

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