

IRFL4105详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:3.7A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:45 毫欧 @ 3.7A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:35nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:660pF @ 25V
- 功率_最大:1W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
- 供应商设备封装:SOT-223
- 包装:管件
IRFL4105PBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:3.7A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:45 毫欧 @ 3.7A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:35nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:660pF @ 25V
- 功率_最大:1W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
- 供应商设备封装:SOT-223
- 包装:管件
IRFL4105TR详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:3.7A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:45 毫欧 @ 3.7A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:35nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:660pF @ 25V
- 功率_最大:1W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
- 供应商设备封装:SOT-223
- 包装:带卷 (TR)
IRFL4105TR详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:3.7A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:45 毫欧 @ 3.7A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:35nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:660pF @ 25V
- 功率_最大:1W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
- 供应商设备封装:SOT-223
- 包装:剪切带 (CT)
IRFL4105TRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:3.7A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:45 毫欧 @ 3.7A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:35nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:660pF @ 25V
- 功率_最大:1W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
- 供应商设备封装:SOT-223
- 包装:剪切带 (CT)
IRFL4105TRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:3.7A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:45 毫欧 @ 3.7A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:35nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:660pF @ 25V
- 功率_最大:1W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
- 供应商设备封装:SOT-223
- 包装:带卷 (TR)
- 固定式 Taiyo Yuden 0402(1005 公制) INDUCTOR HI FREQ 82NH 5% 0402
- PMIC - 稳压器 - DC DC 切换控制器 Intersil 48-VFQFN 裸露焊盘 IC REG CTRLR BUCK PWM 48-QFN
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions 2020(5050 公制) CONN EDGECARD 12POS DIP .156 SLD
- FET - 单 International Rectifier TO-261-4,TO-261AA MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223
- 其它 International Rectifier IC MOSFET DRVR N-CH DUAL 16QFN
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Intersil 8-WDFN 裸露焊盘 IC OPAMP PREC 1.5MHZ DL LP 8TDFN
- PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC DVR CURRENT SENSE 1CH 8-SOIC
- 固定式 Taiyo Yuden 0402(1005 公制) INDUCTOR HIFREQ 820NH+/-.1 0402
- PMIC - 稳压器 - 专用型 Intersil 48-VFQFN 裸露焊盘 IC CTRLR PWM SYNC BUCK DL 48QFN
- PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC DVR HALF BRIDG SELF OSC 8SOIC
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Intersil 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽) IC OPAMP PREC 1.5MHZ DL LP 8MSOP
- PMIC - 稳压器 - DC DC 切换控制器 International Rectifier 28-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) IC REG CTRLR BUCK PWM VM 28TSSOP
- AC DC 转换器 TDK-Lambda Americas Inc 0402(1005 公制) PWR SUP IND LOW PRO 5V 20.0A
- PMIC - 稳压器 - 专用型 Intersil 48-VFQFN 裸露焊盘 IC CTRLR PWM SYNC BUCK DL 48QFN
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions 2020(5050 公制) CONN EDGECARD 12POS DIP .156 SLD