

IRFL024Z详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 55V 5.1A SOT223
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:5.1A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:57.5 毫欧 @ 3.1A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:14nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:340pF @ 25V
- 功率_最大:1W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
- 供应商设备封装:SOT-223
- 包装:管件
IRFL024ZPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 55V 5.1A SOT223
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:5.1A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:57.5 毫欧 @ 3.1A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:14nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:340pF @ 25V
- 功率_最大:1W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
- 供应商设备封装:SOT-223
- 包装:管件
IRFL024ZTRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 55V 5.1A SOT223
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:5.1A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:57.5 毫欧 @ 3.1A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:14nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:340pF @ 25V
- 功率_最大:1W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
- 供应商设备封装:SOT-223
- 包装:Digi-Reel®
IRFL024ZTRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 55V 5.1A SOT223
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:5.1A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:57.5 毫欧 @ 3.1A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:14nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:340pF @ 25V
- 功率_最大:1W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
- 供应商设备封装:SOT-223
- 包装:剪切带 (CT)
IRFL024ZTRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 55V 5.1A SOT223
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:5.1A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:57.5 毫欧 @ 3.1A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:14nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:340pF @ 25V
- 功率_最大:1W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
- 供应商设备封装:SOT-223
- 包装:带卷 (TR)
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div COMPOWAY/F COMM UNIT FOR E3XDAN
- FET - 单 International Rectifier TO-261-4,TO-261AA MOSFET N-CH 55V 5.1A SOT223
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 6POS DIP .156 SLD
- PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 International Rectifier 16-VFQFN 裸露焊盘 IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 16MLPQ
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Intersil 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC OPAMP JFET 12.5MHZ DUAL 8SOIC
- 固定式 Taiyo Yuden 0402(1005 公制) INDUCTOR HIFREQ 4.3+/-0.3NH 0402
- PMIC - 稳压器 - 专用型 Intersil 48-VFQFN 裸露焊盘 IC HYBRID CTRLR PWM DUAL 48QFN
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div COMPOWAY/F COMM UNIT FOR E3XDAN
- 其它 International Rectifier IC CTRLR PWM 6-PHASE 48QFN
- PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 International Rectifier 16-SOIC(0.295",7.50mm 宽) IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 16-SOIC
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Intersil 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽) IC OPAMP GP RRIO 2MHZ DUAL 8MSOP
- PMIC - 稳压器 - 专用型 Intersil 48-VFQFN 裸露焊盘 IC HYBRID CTRLR PWM DUAL 48-QFN
- 固定式 Taiyo Yuden 0402(1005 公制) INDUCTOR HIFREQ 4.7+/-0.3NH 0402
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div MSTR CONN FOR E3XDA6 & E3XDA8
- 其它 International Rectifier IC CTRLR PWM 8-PHASE 56QFN