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IRFH5302DTR2PBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 29A 8VQFN; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：29A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.5 毫欧 @ 50A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.35V @ 100µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：55nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：3635pF @ 25V; 功率_最大：3.6W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-VQFN; 供应商设备封装：PQFN（5x6）单芯片焊盘; 包装：Digi-Reel®

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IRFH5302DTR2PBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 29A 8VQFN; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：29A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.5 毫欧 @ 50A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.35V @ 100µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：55nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：3635pF @ 25V; 功率_最大：3.6W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-VQFN; 供应商设备封装：PQFN（5x6）单芯片焊盘; 包装：剪切带 (CT)

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