IRFBC30ASPBF 全国供应商、价格、PDF资料
IRFBC30ASPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：600V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.6A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.2 欧姆 @ 2.2A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：23nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：510pF @ 25V
- 功率_最大：74W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D2PAK
- 包装：管件
- FET - 单 International Rectifier Super-220?-3（直引线） MOSFET N-CH 200V 98A SUPER-220
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2512（6432 公制） RES 23.7K OHM 1.5W 1% 2512 SMD
- 网络、阵列 Panasonic Electronic Components 1608（4021 公制），凹陷 RES ARRAY 68 OHM 8 RES 1608
- 单二极管/整流器 Comchip Technology DO-214AC，SMA DIODE SUPER FAST 1A 400V DO214AC
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA MOSFET N-CH 600V 3.6A TO-262
- FET - 单 International Rectifier 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） MOSFET P-CH 20V 4.3A MICRO8
- IGBT - 单路 Infineon Technologies TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 IGBT 600V 20A 150W TO252-3
- 单二极管/整流器 Comchip Technology DO-214AA，SMB DIODE FAST 100V 2A DO214AA
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2512（6432 公制） RES 23.7K OHM 1W 1% 2512 SMD
- 单二极管/整流器 Comchip Technology DO-214AA，SMB DIODE SUPER FAST 2A 200V DO214AA
- FET - 单 International Rectifier 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） MOSFET P-CH 20V 4.3A MICRO-8
- IGBT - 单路 Infineon Technologies TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 IGBT 600V 20A 150W TO252-3
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
- 单二极管/整流器 Comchip Technology DO-214AA，SMB DIODE SUPER FAST 2A 600V DO214AA
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2512（6432 公制） RES 23.7 OHM 1.5W 1% 2512 SMD
0755-82561519 
19166203057 
0755-84507209 
0755-83231869 
010-62962871、 
0755-22929859 
0755-82561519 
0755-18503085 
0755-23919407 
15112667855 
0755-89697985 
0755-88291559 
0755-83209630 
0755-83777708 
0755-82569753 
0755-82574045 
