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IRFBA90N20DPBF 全国供应商、价格、PDF资料

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IRFBA90N20DPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 200V 98A SUPER-220; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：98A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：23 毫欧 @ 59A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：240nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：6080pF @ 25V; 功率_最大：650W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：Super-220?-3（直引线）; 供应商设备封装：SUPER-220?（TO-273AA）; 包装：管件

IRFBA90N20DPBF供应商

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芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2512（6432 公制） RES 23.7K OHM 1.5W 1% 2512 SMD
EXB-E10C680J
网络、阵列 Panasonic Electronic Components 1608（4021 公制），凹陷 RES ARRAY 68 OHM 8 RES 1608
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FET - 单 International Rectifier 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） MOSFET P-CH 20V 4.3A MICRO8
IKD10N60R
IGBT - 单路 Infineon Technologies TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 IGBT 600V 20A 150W TO252-3

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