IRFB3607GPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 75V 80A TO220AB
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:75V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:80A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:9 毫欧 @ 46A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 100µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:84nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:3070pF @ 50V
- 功率_最大:140W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商设备封装:TO-220AB
- 包装:管件
IRFB3607PBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 75V 80A TO-220AB
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:75V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:80A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:9 毫欧 @ 46A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 100µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:84nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:3070pF @ 50V
- 功率_最大:140W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商设备封装:TO-220AB
- 包装:管件
- IGBT - 单路 Infineon Technologies TO-247-3 变式 IGBT 1200V 30A 254W TO247HC-3
- FET - 单 International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 150V 5.1A 8-SOIC
- FET - 单 International Rectifier TO-220-3 MOSFET N-CH 75V 180A TO-220AB
- FET - 阵列 Texas Instruments * IC PWR BLOCK SYNC BUCK 8SON
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2512(6432 公制) RES 22.0 OHM 1W 1% 2512 SMD
- 网络、阵列 Panasonic Electronic Components 1608(4021 公制),凹陷 RES ARRAY 390 OHM 8 RES 1608
- FET - 单 International Rectifier TO-220-3 MOSFET N-CH 75V 97A TO-220AB
- 脉冲 Schurter Inc TO-247-3 变式 II1 PULSE TRANSFORMER THT
- FET - 阵列 International Rectifier 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽) MOSFET N-CH DUAL 20V 2.4A MICRO8
- 网络、阵列 Panasonic Electronic Components 1608(4021 公制),凹陷 RES ARRAY 3.9K OHM 8 RES 1608
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2512(6432 公制) RES 22.1 OHM 1W 1% 2512 SMD
- 电流 Honeywell Sensing and Control 模块,单通式 CURRENT SENSOR 0.25A TO 1.0A
- FET - 单 International Rectifier TO-220-3 MOSFET N-CH 200V 65A TO-220AB
- FET - 单 International Rectifier 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽) MOSFET N-CH 20V 2.4A MICRO8
- 内电路编程器、仿真器以及调试器 IAR Systems Software Inc TO-247-3 变式 JTAG ARM DEBUGGING PROBE