IRF9Z34NSTRR 全国供应商、价格、PDF资料
IRF9Z34NSTRR详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:19A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:100 毫欧 @ 10A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:35nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:620pF @ 25V
- 功率_最大:3.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:带卷 (TR)
IRF9Z34NSTRRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:19A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:100 毫欧 @ 10A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:35nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:620pF @ 25V
- 功率_最大:3.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:带卷 (TR)
- 固定式 Toko America Inc 1008(2520 公制) INDUCTOR 0.27UH FSLU TYPE10% SMD
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0603(1608 公制) CAP CER 36PF 50V 5% NP0 0603
- 固定式 Cooper Bussmann 非标准 INDUCTOR LO PROFLE 390NH 28A SMD
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-220-3 MOSFET P-CH 60V 18A TO-220AB
- PMIC - 稳压器 - 线性 Intersil 10-VFDFN 裸露焊盘 IC REG LDO 2.8V/1.8V .3A 10-DFN
- 陶瓷 Yageo 1206(3216 公制) CAP CER 4700PF 100V 20% X7R 1206
- FET - 单 Infineon Technologies TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 600V 5.7A TO252
- FET - 单 IXYS TO-220-3 MOSFET N-CH 800V 2A TO-220
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0603(1608 公制) CAP CER 39PF 50V 2% NP0 0603
- 固定式 Toko America Inc 1008(2520 公制) INDUCTOR .47UH 10% TYP FSLU SMD
- PMIC - 稳压器 - 线性 Intersil 10-VFDFN 裸露焊盘 IC REG LDO 2.8V/3.3V .3A 10-DFN
- 陶瓷 Yageo 1206(3216 公制) CAP CER 0.47UF 10V 20% X7R 1206
- FET - 单 Infineon Technologies TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 650V 8.7A TO252
- FET - 单 IXYS TO-220-3 MOSFET N-CH 150V 44A TO-220
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0603(1608 公制) CAP CER 39PF 50V 5% NP0 0603