IRF9Z34详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 60V 18A TO-220AB
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：18A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：140 毫欧 @ 11A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：34nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1100pF @ 25V
- 功率_最大：68W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-220-3
- 供应商设备封装：TO-220AB
- 包装：管件
IRF9Z34NL详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 55V 19A TO-262
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：19A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫欧 @ 10A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：35nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：620pF @ 25V
- 功率_最大：3.8W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
- 供应商设备封装：TO-262
- 包装：管件
IRF9Z34NLPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 55V 19A TO-262
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：19A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫欧 @ 10A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：35nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：620pF @ 25V
- 功率_最大：3.8W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
- 供应商设备封装：TO-262
- 包装：管件
IRF9Z34NPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 55V 19A TO-220AB
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：19A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫欧 @ 10A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：35nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：620pF @ 25V
- 功率_最大：68W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-220-3
- 供应商设备封装：TO-220AB
- 包装：管件
IRF9Z34NSPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：19A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫欧 @ 10A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：35nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：620pF @ 25V
- 功率_最大：3.8W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D2PAK
- 包装：管件
IRF9Z34NSTRLPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：19A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫欧 @ 10A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：35nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：620pF @ 25V
- 功率_最大：3.8W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D2PAK
- 包装：带卷 (TR)
- PMIC - 电池管理 Intersil 32-VFQFN 裸露焊盘 IC MULTI-CELL LI-ION PROT 32-QFN
- 接口 - 模拟开关，多路复用器，多路分解器 Intersil 20-VFQFN 裸露焊盘 IC SWITCH TRIPLE SPDT 20QFN
- 存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 100-LQFP IC SRAM 64KBIT 55NS 100TQFP
- FET - 单 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
- 接口 - 模拟开关，多路复用器，多路分解器 Intersil 10-TFSOP，10-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） IC SWITCH DUAL SPDT 10MSOP
- 逻辑 - FIFO IDT, Integrated Device Technology Inc 32-LCC（J 形引线） IC FIFO 4KX9 50NS 32PLCC
- 存储器 Ramtron 28-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） IC FRAM 64KBIT 70NS 28SOIC
- 接口 - 模拟开关，多路复用器，多路分解器 Intersil 20-VFQFN 裸露焊盘 IC SWITCH QUAD SPDT 20QFN
- PMIC - 电池管理 Intersil 32-VFQFN 裸露焊盘 IC MULTI-CELL LI-ION PROT 32-QFN
- 逻辑 - FIFO IDT, Integrated Device Technology Inc 28-DIP（0.600"，15.24mm） IC FIFO 8192X9 12NS 28PDIP
- 接口 - 模拟开关，多路复用器，多路分解器 Intersil 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 IC SWITCH SPDT SC70-6
- PMIC - 电池管理 Intersil 24-VFQFN 裸露焊盘 IC MULTI-CELL LI-ION PROT 24-QFN
- 接口 - 模拟开关，多路复用器，多路分解器 Intersil * IC MUX/DEMUX 1 X 4:1 16QFN
- 存储器 Ramtron 28-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） IC FRAM 64KBIT 70NS 28SOIC
- 存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 100-LQFP IC SRAM 64KBIT 15NS 100TQFP
0755-82542579 
18674491576 
13681678667 
0755-82561519 
0755-83679110 
0755-84507209 
755-83241160（ 
13510131896 
19166203057 
010-62962871、 
0755-22929859 
0755-83747144 
0755－82812004 
