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IRF9Z14详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 60V 6.7A TO-220AB; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：6.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：500 毫欧 @ 4A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：270pF @ 25V; 功率_最大：43W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-220-3; 供应商设备封装：TO-220AB; 包装：管件

IRF9Z14L详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 60V 6.7A TO-262; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：6.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：500 毫欧 @ 4A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：270pF @ 25V; 功率_最大：3.7W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA; 供应商设备封装：I2PAK; 包装：管件

IRF9Z14LPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 60V 6.7A TO-262; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：6.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：500 毫欧 @ 4A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：270pF @ 25V; 功率_最大：3.7W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA; 供应商设备封装：I2PAK; 包装：管件

IRF9Z14PBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 60V 6.7A TO-220AB; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：6.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：500 毫欧 @ 4A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：270pF @ 25V; 功率_最大：43W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-220-3; 供应商设备封装：TO-220AB; 包装：管件

IRF9Z14S详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：6.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：500 毫欧 @ 4A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：270pF @ 25V; 功率_最大：3.7W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：管件

IRF9Z14SPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：6.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：500 毫欧 @ 4A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：270pF @ 25V; 功率_最大：3.7W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：管件

ISL43141IR
接口 - 模拟开关，多路复用器，多路分解器 Intersil 16-VFQFN 裸露焊盘 IC SWITCH QUAD SPST 16QFN
IRF9953TRPBF
FET - 阵列 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） HEX/MOS P-CH DUAL 30V 2.3A 8SOIC
IDT7016S20G
存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 68-BPGA IC SRAM 144KBIT 20NS 68PGA
FLZ5V6C
单二极管/齐纳 Fairchild Semiconductor SOD-80 DIODE ZENER 5.6V 500MW SOD-80
IXFK110N07
FET - 单 IXYS TO-264-3，TO-264AA MOSFET N-CH 70V 110A TO-264AA
ISL84543CPZ
接口 - 模拟开关，多路复用器，多路分解器 Intersil 8-DIP（0.300"，7.62mm） IC SWITCH DUAL SPST 8DIP
IDT7203L25J8
逻辑 - FIFO IDT, Integrated Device Technology Inc 32-LCC（J 形引线） IC MEM FIFO 2048X9 25NS 32-PLCC
ISL9205BIRZ-T
PMIC - 电池管理 Intersil 10-VFDFN 裸露焊盘 IC CHRGR LI-ION SGL 4.2V 10-DFN
ISL43141IR-T
接口 - 模拟开关，多路复用器，多路分解器 Intersil 16-VFQFN 裸露焊盘 IC SWITCH QUAD SPST 16QFN
IXFK150N10
FET - 单 IXYS TO-264-3，TO-264AA MOSFET N-CH 100V 150A TO-264AA
FLZ6V2B
单二极管/齐纳 Fairchild Semiconductor SOD-80 DIODE ZENER 6.2V 500MW SOD-80
IDT7203L25TP
逻辑 - FIFO IDT, Integrated Device Technology Inc 28-DIP（0.300"，7.62mm） IC MEM FIFO 2048X9 25NS 28-DIP
ISL84543IB-T
接口 - 模拟开关，多路复用器，多路分解器 Intersil 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC SWITCH DUAL SPST 8SOIC
ISL9205CIRZ
PMIC - 电池管理 Intersil 10-VFDFN 裸露焊盘 IC CHRGR LI-ION SGL 4.25V 10-DFN
ISL43141IRZ
接口 - 模拟开关，多路复用器，多路分解器 Intersil 16-VFQFN 裸露焊盘 IC SWITCH QUAD SPST 16QFN

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