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IRF9630详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 200V 6.5A TO-220AB; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：6.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：800 毫欧 @ 3.9A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：29nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：700pF @ 25V; 功率_最大：74W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-220-3; 供应商设备封装：TO-220AB; 包装：管件

IRF9630L详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 200V 6.5A TO-262; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：6.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：800 毫欧 @ 3.9A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：29nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：700pF @ 25V; 功率_最大：3W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA; 供应商设备封装：I2PAK; 包装：管件

IRF9630PBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 200V 6.5A TO-220AB; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：6.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：800 毫欧 @ 3.9A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：29nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：700pF @ 25V; 功率_最大：74W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-220-3; 供应商设备封装：TO-220AB; 包装：管件

IRF9630S详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：6.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：800 毫欧 @ 3.9A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：29nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：700pF @ 25V; 功率_最大：3W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：管件

IRF9630SPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：6.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：800 毫欧 @ 3.9A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：29nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：700pF @ 25V; 功率_最大：3W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：管件

IRF9630STRL详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：6.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：800 毫欧 @ 3.9A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：29nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：700pF @ 25V; 功率_最大：3W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：带卷 (TR)

ECW-F6273JLB
薄膜 Panasonic Electronic Components 径向 CAP FILM 0.027UF 630VDC RADIAL
K271K10C0GH5UH5
陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 270PF 100V 10% RADIAL
L-05B2N2SV6T
固定式 Johanson Technology Inc 0201（0603 公制） IND CER RF 2.2NH 0201
IRF9630PBF
FET - 单 Vishay Siliconix TO-220-3 MOSFET P-CH 200V 6.5A TO-220AB
LMC7221AIM5X/NOPB
线性 - 比较器 Texas Instruments SC-74A，SOT-753 IC COMPAR TNY CMOS RR IN SOT23-5
ECS-3525-120-B-TR
振荡器 ECS Inc 4-SMD，无引线（DFN，LCC） OSC 12.00 MHZ 2.5V SMD
KT11P4SA2M35LFG
触摸 C&K Components SWITCH TACTILE SPST-NO 1VA 32V
K271K10X7RF5TH5
陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 270PF 50V 10% RADIAL
ECW-F6274RJL
薄膜 Panasonic Electronic Components 径向 CAP FILM 0.27UF 630VDC RADIAL
LMC7221AIM5X/NOPB
线性 - 比较器 Texas Instruments SC-74A，SOT-753 IC COMPAR TNY CMOS RR IN SOT23-5
ECS-3525-143-B-TR
振荡器 ECS Inc 4-SMD，无引线（DFN，LCC） OSC 14.31818 MHZ 2.5V SMD
L-05B2N7SV6T
固定式 Johanson Technology Inc 0201（0603 公制） IND CER RF 2.7NH 0201
KT11P4SA3M33
触摸 C&K Components SWITCH TACTILE SPST-NO 1VA 50V
L4018C2R2MDWDT
固定式 Kemet 非标准 INDUCTOR 2.2UH 20% 4018
ECW-F6304RHL
薄膜 Panasonic Electronic Components 径向 CAP FILM 0.3UF 630VDC RADIAL

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