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IRF840S详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：500V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：8A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：850 毫欧 @ 4.8A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：63nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 25V; 功率_最大：3.1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：管件

IRF840SPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：500V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：8A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：850 毫欧 @ 4.8A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：63nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 25V; 功率_最大：3.1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：管件

IRF840STRL详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：500V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：8A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：850 毫欧 @ 4.8A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：63nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 25V; 功率_最大：3.1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：带卷 (TR)

IRF840STRLPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：500V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：8A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：850 毫欧 @ 4.8A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：63nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 25V; 功率_最大：3.1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：带卷 (TR)

IRF840STRR详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：500V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：8A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：850 毫欧 @ 4.8A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：63nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 25V; 功率_最大：3.1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：带卷 (TR)

IRF840STRRPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：500V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：8A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：850 毫欧 @ 4.8A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：63nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 25V; 功率_最大：3.1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：带卷 (TR)

PCA8576DU/2DA/Q2,0
其它 NXP Semiconductors IC LCD DRIVER AUTO 40X4 UNCASED
NZQA5V6AXV5T1G
TVS - 二极管 ON Semiconductor SOT-553 IC TVS ARRAY QUAD LO CAP SOT-553
OSTYK50616130
接线座 - 隔板块 On Shore Technology Inc CONN BARRIER STRIP 16CIRC 9.50MM
IRF840SPBF
FET - 单 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
P1330R-474K
固定式 API Delevan Inc 非标准 INDUCTOR POWER 470.0UH SMD
IRFR9214TRL
FET - 单 Vishay Siliconix TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET P-CH 250V 2.7A DPAK
OSTVJ116152
接线板 - 线至板 On Shore Technology Inc TERM BLOCK RISING CLAMP 11POS
P-500DSL2X4
电池组 Panasonic - BSG 钮扣电池 BATTERY PK 9.6V 5000 MAH NICAD
PCA8886TS/Q900/1,1
其它 NXP Semiconductors IC PROXIMITY SWITCH 2CH 16TSSOP
OSTYK50619130
接线座 - 隔板块 On Shore Technology Inc CONN BARRIER STRIP 19CIRC 9.50MM
P1402AAL
TVS - 晶闸管 Littelfuse Inc TO-220-3（SMT）标片 SIDAC SYM 2CH 58/116V 150A TO220
IRFR9220
FET - 单 Vishay Siliconix TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK
OSTVJ124151
接线板 - 线至板 On Shore Technology Inc CONN TERM BLOCK 7.5MM 12POS PCB
P-500DSL3X2
电池组 Panasonic - BSG 钮扣电池 BATTERY PK 7.2V 5000 MAH NICAD
PCA9306DC1,125
逻辑 - 变换器 NXP Semiconductors 8-VFSOP（0.091"，2.30mm 宽） IC LEVEL TRANSLATOR 8VSSOP

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