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IRF840L详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 500V 8A TO-262; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：500V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：8A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：850 毫欧 @ 4.8A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：63nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 25V; 功率_最大：125W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA; 供应商设备封装：I2PAK; 包装：管件

IRF840LC详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 500V 8A TO-220AB; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：500V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：8A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：850 毫欧 @ 4.8A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：39nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1100pF @ 25V; 功率_最大：125W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-220-3; 供应商设备封装：TO-220AB; 包装：管件

IRF840LCL详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 500V 8A TO-262; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：500V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：8A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：850 毫欧 @ 4.8A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：39nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1100pF @ 25V; 功率_最大：3.1W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA; 供应商设备封装：I2PAK; 包装：管件

IRF840LCLPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 500V 8A TO-262; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：500V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：8A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：850 毫欧 @ 4.8A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：39nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1100pF @ 25V; 功率_最大：3.1W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA; 供应商设备封装：I2PAK; 包装：管件

IRF840LCPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 500V 8A TO-220AB; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：500V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：8A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：850 毫欧 @ 4.8A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：39nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1100pF @ 25V; 功率_最大：125W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-220-3; 供应商设备封装：TO-220AB; 包装：管件

IRF840LCS详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：500V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：8A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：850 毫欧 @ 4.8A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：39nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1100pF @ 25V; 功率_最大：3.1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：管件

KPSE02E16-26S
连接器，互连器件 ITT Cannon CONN RCPT 26POS BOX MNT W/SKTS
K471K10X7RH53H5
陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 470PF 100V X7R RADIAL
IRF8327STRPBF
其它 International Rectifier MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET
KPT06E18-32SW
连接器，互连器件 ITT Cannon CONN PLUG 32POS CABLE W/SKT
LM4051BEM3-ADJ/NOPB
PMIC - 电压基准 Texas Instruments TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 IC VREF SHUNT PREC ADJ SOT-23-3
IXBOD1-14R
TVS - 其它复合 IXYS 径向 IC DIODE MODULE BOD 1.25A 1400V
IRF7329TRPBF
FET - 阵列 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8-SOIC
ECJ-3YB1E475M
陶瓷 Panasonic Electronic Components 1206（3216 公制） CAP CER 4.7UF 25V 20% X5R 1206
KPSE02E16-26SA206
连接器，互连器件 ITT Cannon CONN RCPT 26POS BOX MNT W/SKTS
KPT06E18-32SY
连接器，互连器件 ITT Cannon CONN PLUG 32POS CABLE W/SKT
LM4051BIM3-1.2
PMIC - 电压基准 Texas Instruments IC VREF SHUNT PREC 1.225V SOT23
IXBOD1-14RD
TVS - 其它复合 IXYS 径向 IC DIODE MODULE BOD 0.2A 1400V
ECJ-3YB1E564K
陶瓷 Panasonic Electronic Components 1206（3216 公制） CAP CER 0.56UF 25V 10% X7R 1206
IRF7338TRPBF
FET - 阵列 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N/P-CH 12V 6.3A 8-SOIC
K471K10X7RH5UH5
陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 470PF 100V 10% RADIAL

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