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IRF830A详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 500V 5A TO-220AB; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：500V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.4 欧姆 @ 3A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：24nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：620pF @ 25V; 功率_最大：74W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-220-3; 供应商设备封装：TO-220AB; 包装：管件

IRF830AL详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 500V 5A TO262-3; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：500V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.4 欧姆 @ 3A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：24nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：620pF @ 25V; 功率_最大：3.1W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA; 供应商设备封装：I2PAK; 包装：管件

IRF830ALPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 500V 5A TO262-3; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：500V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.4 欧姆 @ 3A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：24nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：620pF @ 25V; 功率_最大：3.1W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA; 供应商设备封装：I2PAK; 包装：管件

IRF830APBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 500V 5A TO-220AB; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：500V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.4 欧姆 @ 3A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：24nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：620pF @ 25V; 功率_最大：74W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-220-3; 供应商设备封装：TO-220AB; 包装：管件

IRF830AS详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：500V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.4 欧姆 @ 3A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：24nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：620pF @ 25V; 功率_最大：3.1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：管件

IRF830ASPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：500V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.4 欧姆 @ 3A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：24nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：620pF @ 25V; 功率_最大：3.1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：管件

IRF7379QTRPBF
FET - 阵列 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
IHSM5832PJ681L
固定式 Vishay Dale 非标准 INDUCTOR POWER 680UH 0.43A SMD
IRF830AS
FET - 单 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK
FNY-NS115
配件 Omron Electronics Inc-IA Div 16-DIP 模块 W-SERIES & MLII INTERFACE UNIT
CRCW25121R24FKEG
芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2512（6432 公制） RES 1.24 OHM 1W 1% 2512 SMD
EXB-D10C274J
网络、阵列 Panasonic Electronic Components 1206（3216 公制），凹陷 RES ARRAY 270K OHM 8 RES 1206
IRKT105/12A
SCR Vishay Semiconductors ADD-A-PAK（3 + 4） SCR DBL HISCR 1200V 105A ADDAPAK
IRKT26/14A
SCR Vishay Semiconductors ADD-A-PAK（3 + 4） SCR DBL HISCR 1400V 27A ADDAPAK
IHSM5832RF2R7L
固定式 Vishay Dale 非标准 INDUCTOR POWER 2.7UH 8.4A SMD
FNY-NS115
配件 Omron Electronics Inc-IA Div 16-DIP 模块 W-SERIES & MLII INTERFACE UNIT
CRCW25121R30JNEGHP
芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2512（6432 公制） RES 1.3 OHM 1.5W 5% 2512 SMD
EXB-D10C331J
网络、阵列 Panasonic Electronic Components 1206（3216 公制），凹陷 RES ARRAY 330 OHM 8 RES 1206
IRKT27/08A
SCR Vishay Semiconductors ADD-A-PAK（3 + 4） SCR DBL HISCR 800V 25A ADDAPAK
IRF740
FET - 单 STMicroelectronics TO-220-3 MOSFET N-CH 400V 10A TO-220
IHSM5832RF470L
固定式 Vishay Dale 非标准 INDUCTOR POWER 47UH 1.77A SMD

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