IRF820S详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：500V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.5A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 欧姆 @ 1.5A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：24nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：360pF @ 25V
- 功率_最大：3.1W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D2PAK
- 包装：管件
IRF820SPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：500V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.5A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 欧姆 @ 1.5A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：24nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：360pF @ 25V
- 功率_最大：3.1W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D2PAK
- 包装：管件
IRF820STRL详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：500V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.5A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 欧姆 @ 1.5A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：24nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：360pF @ 25V
- 功率_最大：3.1W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D2PAK
- 包装：带卷 (TR)
IRF820STRLPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：500V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.5A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 欧姆 @ 1.5A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：24nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：360pF @ 25V
- 功率_最大：3.1W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D2PAK
- 包装：带卷 (TR)
IRF820STRR详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：500V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.5A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 欧姆 @ 1.5A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：24nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：360pF @ 25V
- 功率_最大：3.1W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D2PAK
- 包装：带卷 (TR)
IRF820STRRPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：500V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.5A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 欧姆 @ 1.5A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：24nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：360pF @ 25V
- 功率_最大：3.1W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D2PAK
- 包装：带卷 (TR)
- PMIC - AC-DC 转换器，离线开关 Fairchild Semiconductor 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）7 引线 IC PWM CTLR PRIMARY REG 7SOIC
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0603（1608 公制） CAP CER 18PF 50V 1% NP0 0603
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK
- 振荡器 Connor-Winfield 4-SMD，无引线（DFN，LCC） OSC 30.0000MHZ 5.0V +-50PPM SMD
- PMIC - 稳压器 - 线性 Intersil 6-TSSOP（5 引线），SC-88A，SOT-353 IC REG LDO 3.3V .15A SC70-5
- 扁平带 3M 2520（6450 公制） CABLE 24COND RND SHIELD GRY 100’
- 单二极管/齐纳 Comchip Technology 1005（2512 公制） DIODE ZENER 27V 200MW 1005
- 接口 - 驱动器，接收器，收发器 Intersil 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC 2DRVR/2RCVR RS232 5V 16-SOIC
- 保险丝 Schurter Inc 5mm x 20mm FUSE FAST 500MA 250V
- 振荡器 Connor-Winfield 4-SMD，无引线（DFN，LCC） OSC 33.3330MHZ 5.0V +-50PPM SMD
- 扁平带 3M 2520（6450 公制） CABLE 25COND RND SHIELD GRY 275’
- 单二极管/齐纳 Comchip Technology 1005（2512 公制） DIODE ZENER 36V 200MW 1005
- PMIC - 稳压器 - 线性 Intersil 6-UFDFN 裸露焊盘 IC REG LDO 3V .15A 6-UTDFN
- 接口 - 驱动器，接收器，收发器 Intersil 16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） IC 2DRVR/2RCVR RS232 5V 16-SOIC
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0603（1608 公制） CAP CER 180PF 50V 5% NP0 0603
0755-84507209 
0755-82542579 
0755-82561519 
0755-88917652 
15112667855 
0755-89697985 
0755-88291559 
0755-83223003 
0755-83777708 
13711580601 
0755-83268779 
0755-82574045 
0755-83247290 
171-4729-9698 
19166203057 
755-83349415/ 
