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IRF820A详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-220AB; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：500V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 欧姆 @ 1.5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：340pF @ 25V; 功率_最大：50W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-220-3; 供应商设备封装：TO-220AB; 包装：管件

IRF820AL详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-262; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：500V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 欧姆 @ 1.5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：340pF @ 25V; 功率_最大：50W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA; 供应商设备封装：I2PAK; 包装：管件

IRF820ALPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-262; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：500V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 欧姆 @ 1.5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：340pF @ 25V; 功率_最大：50W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA; 供应商设备封装：I2PAK; 包装：管件

IRF820APBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-220AB; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：500V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 欧姆 @ 1.5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：340pF @ 25V; 功率_最大：50W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-220-3; 供应商设备封装：TO-220AB; 包装：管件

IRF820AS详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：500V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 欧姆 @ 1.5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：340pF @ 25V; 功率_最大：50W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：管件

IRF820ASPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：500V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 欧姆 @ 1.5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：340pF @ 25V; 功率_最大：50W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：管件

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