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IRF8113详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：17.2A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5.6 毫欧 @ 17.2A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：36nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2910pF @ 15V; 功率_最大：2.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SO; 包装：管件

IRF8113GPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 17.2A SO-8; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：17.2A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5.6 毫欧 @ 17.2A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：36nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2910pF @ 15V; 功率_最大：2.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SO; 包装：管件

IRF8113GTRPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：17.2A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5.6 毫欧 @ 17.2A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：36nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2910pF @ 15V; 功率_最大：2.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SO; 包装：剪切带 (CT)

IRF8113GTRPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：17.2A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5.6 毫欧 @ 17.2A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：36nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2910pF @ 15V; 功率_最大：2.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SO; 包装：Digi-Reel®

IRF8113GTRPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：17.2A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5.6 毫欧 @ 17.2A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：36nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2910pF @ 15V; 功率_最大：2.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SO; 包装：带卷 (TR)

IRF8113PBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：17.2A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5.6 毫欧 @ 17.2A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：36nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2910pF @ 15V; 功率_最大：2.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SO; 包装：管件

IRKH42/08A
SCR Vishay Semiconductors ADD-A-PAK（3 + 2） SCR MOD PWR 800V 40A ADD-A-PAK
EXB-A10P563J
网络、阵列 Panasonic Electronic Components 2512（6431 公制），凹陷 RES ARRAY 56K OHM 8 RES 2512
IRF7910PBF
FET - 阵列 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N-CH 12V 10A 8-SOIC
IRKH56/14A
SCR Vishay Semiconductors ADD-A-PAK（3 + 2） SCR DBL LOSCR 1400V 60A ADDAPAK
IRF7324D1TRPBF
FET - 单 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET P-CH 20V 2.2A 8-SOIC
FNR-3-48G
配件 Power-One SOT-227-2 19" RACK FOR 3X 48V FRONT END
IHSM5832ER4R7L
固定式 Vishay Dale INDUCTOR POWER 4.7UH 7.4A SMD
EXB-A10P564J
网络、阵列 Panasonic Electronic Components 2512（6431 公制），凹陷 RES ARRAY 560K OHM 8 RES 2512
IRKH56/16A
SCR Vishay Semiconductors ADD-A-PAK（3 + 2） SCR DBL LOSCR 1600V 60A ADDAPAK
IRKH57/06A
SCR Vishay Semiconductors ADD-A-PAK（3 + 2） SCR MOD PWR 600V 55A ADD-A-PAK
IRF7325TR
FET - 阵列 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET 2P-CH 12V 7.8A 8-SOIC
IHSM5832PJ100L
固定式 Vishay Dale 非标准 INDUCTOR POWER 10UH 4.3A SMD
FNR-5-12G
配件 Power-One SOT-227-2 19" RACK FOR 5X 12V FRONT END
EXB-A10P822J
网络、阵列 Panasonic Electronic Components 2512（6431 公制），凹陷 RES ARRAY 8.2K OHM 8 RES 2512
CRCW25121R00FKEG
芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2512（6432 公制） RES 1.00 OHM 1W 1% 2512 SMD

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