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IRF8010STRRPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：80A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：15 毫欧 @ 45A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：120nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：3830pF @ 25V; 功率_最大：260W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：带卷 (TR)

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IRF820APBF
FET - 单 Vishay Siliconix TO-220-3 MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-220AB

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