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IRF7901D1TRPBF详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET DUAL N-CH 30V 6.2A 8-SOIC; 系列：FETKY™; 制造商：International Rectifier; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：6.2A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：38 毫欧 @ 5A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：10.5nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：780pF @ 16V; 功率_最大：2W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SO; 包装：Digi-Reel®

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IRF7901D1TRPBF详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET DUAL N-CH 30V 6.2A 8-SOIC; 系列：FETKY™; 制造商：International Rectifier; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：6.2A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：38 毫欧 @ 5A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：10.5nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：780pF @ 16V; 功率_最大：2W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SO; 包装：剪切带 (CT)

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