IRF7901D1详细规格
- 类别：FET - 阵列
- 描述：MOSFET DUAL N-CH 30V 6.2A 8-SOIC
- 系列：FETKY™
- 制造商：International Rectifier
- FET型：2 个 N 沟道（双）
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：6.2A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：38 毫欧 @ 5A，4.5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：10.5nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：780pF @ 16V
- 功率_最大：2W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：管件
IRF7901D1TR详细规格
- 类别：FET - 阵列
- 描述：MOSFET DUAL N-CH 30V 6.2A 8-SOIC
- 系列：FETKY™
- 制造商：International Rectifier
- FET型：2 个 N 沟道（双）
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：6.2A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：38 毫欧 @ 5A，4.5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：10.5nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：780pF @ 16V
- 功率_最大：2W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：带卷 (TR)
IRF7901D1TRPBF详细规格
- 类别：FET - 阵列
- 描述：MOSFET DUAL N-CH 30V 6.2A 8-SOIC
- 系列：FETKY™
- 制造商：International Rectifier
- FET型：2 个 N 沟道（双）
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：6.2A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：38 毫欧 @ 5A，4.5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：10.5nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：780pF @ 16V
- 功率_最大：2W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：Digi-Reel®
IRF7901D1TRPBF详细规格
- 类别：FET - 阵列
- 描述：MOSFET DUAL N-CH 30V 6.2A 8-SOIC
- 系列：FETKY™
- 制造商：International Rectifier
- FET型：2 个 N 沟道（双）
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：6.2A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：38 毫欧 @ 5A，4.5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：10.5nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：780pF @ 16V
- 功率_最大：2W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：带卷 (TR)
IRF7901D1TRPBF详细规格
- 类别：FET - 阵列
- 描述：MOSFET DUAL N-CH 30V 6.2A 8-SOIC
- 系列：FETKY™
- 制造商：International Rectifier
- FET型：2 个 N 沟道（双）
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：6.2A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：38 毫欧 @ 5A，4.5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：10.5nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：780pF @ 16V
- 功率_最大：2W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：剪切带 (CT)
IRF7902PBF详细规格
- 类别：FET - 阵列
- 描述：MOSFET N-CHAN DUAL 30V 8-SOIC
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：2 个 N 沟道（双）
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：6.4A，9.7A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：22.6 毫欧 @ 6.4A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 25µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：6.9nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：580pF @ 15V
- 功率_最大：1.4W，2W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：管件
- 显示器模块 - LED 点阵和簇 Avago Technologies US Inc. HC49/US LED DISPLAY 5X7 4CHAR 3.8MM RED
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向，圆盘 CAP CER 150PF 2KV 20% RADIAL
- FET - 阵列 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET DUAL N-CH 30V 6.2A 8-SOIC
- FET - 单 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOIC
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 34POS R/A .100 SLD
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div REFLECTOR ADHESV TAPE 70X80MM
- 连接器，互连器件 TE Connectivity CONN PLUG 56POS STRGHT W/SKT
- 跳线，预压接线 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1504TR/A2015N/H1504TR 8"
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向，圆盘 CAP CER 2200PF 2KV 10% RADIAL
- FET - 单 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET P-CH 20V 2.2A 8-SOIC
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 34POS R/A .100 SLD
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div REFLECTOR ADHESV TAPE 70X80MM
- 连接器，互连器件 TE Connectivity CONN PLUG 56POS STRGHT W/SKT
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向，圆盘 CAP CER 330PF 2KV 10% RADIAL
- 光隔离器 - 晶体管，光电输出 Avago Technologies US Inc. 8-SMD，鸥翼型 OPTOCOUPLER ANALOG 8-SMD
0755-83202411 
19166203057 
0755-82569753 
0755-23612326 
0531-88891493 
0755-82525087 
755-88608527（ 
755-83252273 
0755-82542579 
0755-82561519 
0755-88291559 
18927479189 
755-83258123 
075582788161 
755-83241160（ 
