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IRF7834详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 19A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：19A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.5 毫欧 @ 19A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：44nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：3710pF @ 15V; 功率_最大：2.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SO; 包装：管件

IRF7834PBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 19A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：19A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.5 毫欧 @ 19A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：44nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：3710pF @ 15V; 功率_最大：2.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SO; 包装：管件

IRF7834TR详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 19A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：19A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.5 毫欧 @ 19A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：44nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：3710pF @ 15V; 功率_最大：2.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SO; 包装：带卷 (TR)

IRF7834TRPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 19A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：19A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.5 毫欧 @ 19A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：44nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：3710pF @ 15V; 功率_最大：2.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SO; 包装：剪切带 (CT)

IRF7834TRPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 19A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：19A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.5 毫欧 @ 19A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：44nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：3710pF @ 15V; 功率_最大：2.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SO; 包装：带卷 (TR)

IRF7834TRPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 19A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：19A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.5 毫欧 @ 19A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：44nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：3710pF @ 15V; 功率_最大：2.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SO; 包装：Digi-Reel®

LP38502ASD-EV
评估板 - 线性稳压器 (LDO) Texas Instruments 8-WFDFN 裸露焊盘 BOARD EVAL FOR LP38502ASD
LBA127S
固态 IXYS Integrated Circuits Division 8-SMD（0.300"，7.62mm） RELAY OPTOMOS 200MA DP 8-SMD
L314F
SCR Crydom Co. 模块 MODULE SCR/DIODE 15A 480VAC PCB
L0103DTRP4
三端双向可控硅开关 Littelfuse Inc TO-261-4，TO-261AA TRIAC SEN 1A 400V SOT223 4K T/R
IRF7834TR
FET - 单 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N-CH 30V 19A 8-SOIC
ECW-F4684JLB
薄膜 Panasonic Electronic Components 径向 CAP FILM 0.68UF 400VDC RADIAL
K224K20X7RF5TH5
陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 0.22UF 50V 10% RADIAL
LP38502SD-ADJ/NOPB
PMIC - 稳压器 - 线性 Texas Instruments 8-WFDFN 裸露焊盘 IC REG LDO ADJ 1.5A 8-LLP
L31S500S05S
电流 Tamura 模块，单通式 SENSOR CURRENT +/-500A +5V
L0103MERP
三端双向可控硅开关 Littelfuse Inc TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线 TRIAC SENS 1A 600V TO92 T/R
ECW-F4753HL
薄膜 Panasonic Electronic Components 径向 CAP FILM 0.075UF 400VDC RADIAL
LP38503ATJ-ADJ/NOPB
PMIC - 稳压器 - 线性 Texas Instruments TO-263-5 薄型 IC REG LDO ADJ 3A TO263-5
K224K20X7RF5TH5
陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 0.22UF 50V 10% RADIAL
L36SA12004NRFA
DC DC Converters Delta Product Groups/Power 11-DIP 模块 MODULE DC/DC 1X1.6 12V 4A
L0103MERP
三端双向可控硅开关 Littelfuse Inc TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线 TRIAC SENS 1A 600V TO92 T/R

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