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IRF7832PBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：20A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4 毫欧 @ 20A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.32V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：51nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：4310pF @ 15V; 功率_最大：2.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SO; 包装：管件

IRF7832TR详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：20A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4 毫欧 @ 20A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.32V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：51nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：4310pF @ 15V; 功率_最大：2.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SO; 包装：Digi-Reel®

IRF7832TR详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：20A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4 毫欧 @ 20A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.32V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：51nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：4310pF @ 15V; 功率_最大：2.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SO; 包装：剪切带 (CT)

IRF7832TRPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：20A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4 毫欧 @ 20A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.32V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：51nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：4310pF @ 15V; 功率_最大：2.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SO; 包装：Digi-Reel®

IRF7832TRPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：20A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4 毫欧 @ 20A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.32V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：51nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：4310pF @ 15V; 功率_最大：2.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SO; 包装：带卷 (TR)

IRF7832TRPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：20A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4 毫欧 @ 20A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.32V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：51nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：4310pF @ 15V; 功率_最大：2.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SO; 包装：剪切带 (CT)

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GRM1885C1H100JA01J
陶瓷 Murata Electronics North America 0603（1608 公制） CAP CER 10PF 50V 5% NP0 0603
FSC-S5-DIN
配件 CUI Inc TO-220-5 全封装（成形引线） DIN RAIL MOUNT BRACKET-FSC-S5
HIN202CBNZ-T
接口 - 驱动器，接收器，收发器 Intersil 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC 2DRVR/2RCVR RS232 5V 16-SOIC
IRF7832PBF
FET - 单 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC
HF659/64
扁平带 3M CABLE 64COND RND SHIELD GRY 275’
CZRF52C12-HF
单二极管/齐纳 Comchip Technology 1005（2512 公制） DIODE ZENER 12V 200MW 1005
CWX823-007.3728M
振荡器 Connor-Winfield 4-SMD，无引线（DFN，LCC） OSC 7.3728MHZ 3.3V +-50PPM SMD
GRM1885C1H101GA01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0603（1608 公制） CAP CER 100PF 50V 2% NP0 0603
FSC-S5-DIN
配件 CUI Inc TO-220-5 全封装（成形引线） DIN RAIL MOUNT BRACKET-FSC-S5
HIN202CPZ
接口 - 驱动器，接收器，收发器 Intersil 16-DIP（0.300"，7.62mm） IC TXRX RS-232 5V 16-PDIP
HF659/64SF
扁平带 3M CABLE 64COND RND SHIELD GRY 275’
CWX823-010.0M
振荡器 Connor-Winfield 4-SMD，无引线（DFN，LCC） OSC 10.0000MHZ 3.3V +-50PPM SMD
FSC-S5-DIN
配件 CUI Inc TO-220-5 全封装（成形引线） DIN RAIL MOUNT BRACKET-FSC-S5
GRM1885C1H101JA01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0603（1608 公制） CAP CER 100PF 50V 5% NP0 0603
ISL9000JMEV2
评估板 - 线性稳压器 (LDO) Intersil 10-VFDFN 裸露焊盘 EVAL BOARD 2.8V/3.0V ISL9000JM