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IRF7821GTRPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：13.6A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.1 毫欧 @ 13A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1010pF @ 15V; 功率_最大：2.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SO; 包装：Digi-Reel®

IRF7821GTRPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：13.6A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.1 毫欧 @ 13A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1010pF @ 15V; 功率_最大：2.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SO; 包装：剪切带 (CT)

IRF7821GTRPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：13.6A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.1 毫欧 @ 13A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1010pF @ 15V; 功率_最大：2.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SO; 包装：带卷 (TR)

IRF7821PBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：13.6A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.1 毫欧 @ 13A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1010pF @ 15V; 功率_最大：2.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SO; 包装：管件

IRF7821TR详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：13.6A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.1 毫欧 @ 13A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1010pF @ 15V; 功率_最大：2.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SO; 包装：带卷 (TR)

IRF7821TRPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：13.6A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.1 毫欧 @ 13A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1010pF @ 15V; 功率_最大：2.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SO; 包装：带卷 (TR)

FSC-S15-DIN
配件 CUI Inc TO-220-5 全封装（成形引线） DIN RAIL MOUNT BRACKET-FSC-S15
GRM1885C1E561JA01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0603（1608 公制） CAP CER 560PF 25V 5% NP0 0603
IRF7811WTR
FET - 单 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
HILR-06VF-2-R
矩形 - 外壳 JST Sales America Inc 径向，圆盘 CONN RECEPT HOUSING 6POS RED
ISL9000IRKKZ
PMIC - 稳压器 - 线性 Intersil 10-VFDFN 裸露焊盘 IC REG LDO 2.85V .3A 10-DFN
HF659/26SF
扁平带 3M CABLE 26COND RND SHIELD GRY 50’
CWX815-49.152M
振荡器 Connor-Winfield 4-SMD，无引线（DFN，LCC） OSC 49.1520MHZ 5.0V +-25PPM SMD
CZRF2V4B-HF
单二极管/齐纳 Comchip Technology 1005（2512 公制） DIODE ZENER 2.4V 200MW 1005
FSC-S30-24U
AC DC 转换器 CUI Inc TO-220-5 全封装（成形引线） CONVERTER AC/DC 24V OUT 30W
HILR-06VF-3-E
矩形 - 外壳 JST Sales America Inc 径向，圆盘 CONN RECEPT HOUSING 6POS BLUE
ISL9000IRKNZ-T
PMIC - 稳压器 - 线性 Intersil 10-VFDFN 裸露焊盘 IC REG LDO 2.85V/3.3V .3A 10-DFN
HF659/30SF
扁平带 3M CABLE 30COND RND SHIELD GRY 50’
CWX815-50.0M
振荡器 Connor-Winfield 4-SMD，无引线（DFN，LCC） OSC 50.0000MHZ 5.0V +-25PPM SMD
CZRF3V0B-HF
单二极管/齐纳 Comchip Technology 1005（2512 公制） DIODE ZENER 3V 200MW 1005
FSC-S30-DIN
配件 CUI Inc TO-220-5 全封装（成形引线） DIN RAIL MOUNT BRACKET-FSC-S30

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