IRF7811A详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 28V 11.4A 8-SOIC
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：28V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：11A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10 毫欧 @ 11A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：26nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1760pF @ 15V
- 功率_最大：2.5W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：管件
IRF7811APBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 28V 11A 8-SOIC
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：28V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：11A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10 毫欧 @ 11A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：26nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1760pF @ 15V
- 功率_最大：2.5W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：管件
IRF7811ATR详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 28V 11.4A 8-SOIC
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：28V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：11A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10 毫欧 @ 11A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：26nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1760pF @ 15V
- 功率_最大：2.5W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：带卷 (TR)
IRF7811ATRPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 28V 11A 8-SOIC
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：28V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：11A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10 毫欧 @ 11A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：26nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1760pF @ 15V
- 功率_最大：2.5W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：带卷 (TR)
IRF7811ATRPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 28V 11A 8-SOIC
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：28V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：11A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10 毫欧 @ 11A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：26nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1760pF @ 15V
- 功率_最大：2.5W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：剪切带 (CT)
IRF7811ATRPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 28V 11A 8-SOIC
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：28V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：11A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10 毫欧 @ 11A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：26nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1760pF @ 15V
- 功率_最大：2.5W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：Digi-Reel®
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向，圆盘 CAP CER 10000PF 2KV 20% RADIAL
- 晶体 Citizen Finetech Miyota HC49/US CRYSTAL 6.000 MHZ 18PF SMD
- FET - 单 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N-CH 30V 17.6A 8-SOIC
- 连接器，互连器件 TE Connectivity CONN PLUG 128POS STRGHT W/PINS
- AC DC 转换器 Emerson Network Power/Embedded Power IMP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 26POS DIP .100 SLD
- 跳线，预压接线 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1504TR/A2015R/H1504TR 2"
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向，圆盘 CAP CER 10000PF 2KV RADIAL
- 晶体 Citizen Finetech Miyota HC49/US CRYSTAL 6.000 MHZ 18PF SMD
- AC DC 转换器 Emerson Network Power/Embedded Power IMP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
- 圆形 - 外壳 TE Connectivity CONN HSG PLUG STRGHT 128POS PIN
- 跳线，预压接线 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1504TR/A3048W/H1504TR 2"
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 26POS DIP .100 SLD
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向，圆盘 CAP CER 10000PF 2KV RADIAL
- 晶体 Citizen Finetech Miyota HC49/US CRYSTAL 6.500 MHZ 18PF SMD
13510131896 
0755-88917652 
0755-83538837 
755-83241160（ 
0755-88291559 
0755-82569753 
0755-22655674 
19166203057 
755-83252273 
0755-83051566 
0755-84507209 
83209217 
0755-82542579 
0755*83682918 
0755-23051326 
