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IRF7807D1TRPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC; 系列：FETKY™; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：二极管（隔离式）; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：8.3A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：25 毫欧 @ 7A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：2.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SO; 包装：带卷 (TR)

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IRF7807D1TRPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC; 系列：FETKY™; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：二极管（隔离式）; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：8.3A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：25 毫欧 @ 7A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：2.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SO; 包装：剪切带 (CT)

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