IRF7807A详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：8.3A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：25 毫欧 @ 7A，4.5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：-
- 功率_最大：2.5W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：管件
IRF7807APBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：8.3A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：25 毫欧 @ 7A，4.5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：-
- 功率_最大：2.5W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：管件
IRF7807ATR详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：8.3A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：25 毫欧 @ 7A，4.5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：-
- 功率_最大：2.5W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：带卷 (TR)
IRF7807ATRPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：8.3A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：25 毫欧 @ 7A，4.5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：-
- 功率_最大：2.5W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：剪切带 (CT)
IRF7807ATRPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：8.3A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：25 毫欧 @ 7A，4.5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：-
- 功率_最大：2.5W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：带卷 (TR)
IRF7807ATRPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：8.3A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：25 毫欧 @ 7A，4.5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：-
- 功率_最大：2.5W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：Digi-Reel®
- FET - 单 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
- PMIC - 稳压器 - 线性 Intersil 10-VFDFN 裸露焊盘 IC REG LDO 2.7V/1.8V .3A 10-DFN
- 铁氧体磁珠和芯片 TDK Corporation 1206（3216 公制） FERRITE CHIP 31 OHM 1.5A 1206
- 矩形 - 外壳 JST Sales America Inc 径向，圆盘 CONN PLUG HOUSING 4POS RED
- 振荡器 Connor-Winfield 4-SMD，无引线（DFN，LCC） OSC 1.8432MHZ 5.0V +-25PPM SMD
- 单二极管/齐纳 Comchip Technology 0503（1308 公制） DIODE ZENER 22V 150MW 0503
- PMIC - AC-DC 转换器，离线开关 Fairchild Semiconductor TO-263-7，D²Pak（6 引线+接片），TO-263CB IC SWIT PWM GREEN CM HV D2PAK
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0603（1608 公制） CAP CER 4700PF 50V 5% U2J 0603
- 铁氧体磁珠和芯片 TDK Corporation 2220（5750 公制） FERRITE CHIP 180 OHM 3.0A 2220
- 矩形 - 外壳 JST Sales America Inc 径向，圆盘 CONN RECEPT HOUSING 2POS RED
- 振荡器 Connor-Winfield 4-SMD，无引线（DFN，LCC） OSC 15.3600MHZ 5.0V +-25PPM SMD
- 单二极管/齐纳 Comchip Technology 0503（1308 公制） DIODE ZENER 24V 150MW 0503
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0603（1608 公制） CAP CER 2.2UF 4V 10% X6S 0603
- PMIC - AC-DC 转换器，离线开关 Fairchild Semiconductor TO-263-7，D²Pak（6 引线+接片），TO-263CB IC SWIT PWM GREEN CM HV D2PAK
- PMIC - 稳压器 - 线性 Intersil 10-VFDFN 裸露焊盘 IC REG LDO 2.8V/3V .3A 10-DFN
0755-88291559 
0755-22655674 
19166203057 
075582788161 
021-51872165/ 
0755-83679110 
0755-82533156 
18913062888 
13528893675 
0755-82573702 
13510131896 
0755-83663430 
0755-23919407 
15112667855 
0755-89697985 
